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MOSFET mit Split-Gate-Technologie
MOSFET mit Split-Gate-Technologie von MCC eignen sich für platzsparende und hocheffiziente Anwendungen
Die MOSFET mit Split-Gate-Technologie von Micro Commercial Components bieten einen extrem niedrigen RDS(on) und ermöglichen eine höhere Stromdichte in kleineren Gehäusen. Dadurch eignen sie sich für platzsparende und hocheffiziente Anwendungen.
Vorteile der Split-Gate-Technologie
- Steigerung bei BVDSS
- Höhere N-Dotierung in Drift-Region minimiert RDS(on)
- Senkung der QGD, was Miller-Ladungskopplung verringert
- Verbesserung bei FOM reduziert Schalt- und Leitungsverluste
- Aktuelles SGT-Sortiment deckt Nennspannungen von 30 V bis 150 V und niedrigsten RDS(on) von 1,5 mΩ in gängigen Gehäusen ab
Merkmale und Vorteile
- Breites LV-MOSFET-Sortiment
- Niedriger RSP (spezifischer Widerstand im EIN-Zustand)
- Hoher Wirkungsgrad
- Hohe Qualität
- Schnelle Lieferung
Split-Gate Technology MOSFET's
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | MCAC80N10Y-TP | MOSFET N-CH 100 80A DFN5060 | 20485 - Sofort | $2.18 | Details anzeigen |
| | MCAC30N06Y-TP | MOSFET N-CH 60 30A DFN5060 | 4 - Sofort | $0.94 | Details anzeigen |
| | MCAC50N10Y-TP | MOSFET N-CH 100 50A DFN5060 | 5297 - Sofort | $1.97 | Details anzeigen |
|  | MCU60P06-TP | MOSFET P-CH 60V 60A DPAK | 14768 - Sofort | $2.56 | Details anzeigen |
Veröffentlicht: 2020-05-22
Schweiz