Automobil-ASFETs für periodischen Avalanche-Betrieb

Die anwendungsspezifischen Feldeffekttransistoren (ASFETs) von Nexperia für die Automobilelektronik optimieren MOSFETs für den komfortablen Umgang mit sich wiederholenden Avalanche-Strömen bei einer Sperrschichttemperatur von unter 175 °C und bieten damit einen robusten Baustein, der zahlreiche Einsparungen auf Systemebene ermöglicht. Bei der Verwendung von MOSFETs zur Versorgung von induktiven Lasten, wie z. B. Antriebsmagneten, enthalten die meisten Schaltungsdesigns zusätzliche Komponenten zum Schutz des MOSFETs, wenn der Laststrom während des Abschaltens weiterfließt. Dies kann von hocheffizienten, aber teuren Boost-Topologien, die die Energie wiederverwenden, bis zu dem weniger effizienten, aber kostengünstigeren Ansatz der Verwendung einer Freilaufdiode reichen. Die einfache Alternative eines periodischen Avalanche-Aufbaus war bisher nur mit Planartechnologie möglich, aber die Automobil-ASFETs von Nexperia bieten eine moderne Trench-Alternative.

Merkmale und Vorteile

• Garantierte periodische Avalanche-Leistung, getestet mit bis zu 1 Milliarde Zyklen
• Die robuste Siliziumtechnologie in Kombination mit der thermischen Leistung von LFPAK-Gehäusen stellt sicher, dass die Chiptemperatur unter +175 °C bleibt
• Die Verwendung eines einzigen MOSFETs reduziert die Komplexität der Stückliste und der Schaltung und spart dadurch Systemkosten und Platz
• Moderne Trench-Alternative zu älteren Planartechnologien
• Bietet erhöhten Wirkungsgrad und schnelleres Schalten im Vergleich zum Freilaufdiodenansatz

Ressourcen

• AN50003: Antriebsmagnete in Automobilanwendungen
• AN10273: Bewertung der Leistungs-MOSFETs im Single-Shot-Betrieb sowie im periodischen Avalanche-Betrieb