P-Kanal-Trench-MOSFET im MLPAK33 für die Automobiltechnik

Die Familie BUK6Qxx-PJ von Nexperia besteht aus P-Kanal-Trench-MOSFETs im Anreicherungsmodus, die das hocheffiziente Schalten in Automobil- und Industrieanwendungen entwickelt wurden. Diese Bauelemente sind in einem kompakten MLPAK33-Gehäuse (SOT8002-3) untergebracht mit einer Grundfläche von 3,3 mm x 3,3 mm und seitlich benetzbaren Flanken für die automatische optische Inspektion (AOI) und eine hervorragende thermische Leistung.

Diese MOSFETs sind logikpegelkompatibel und für das Schalten von High-Side-Lasten, den Verpolungsschutz und den Relaisersatz in Automobilsystemen optimiert. Mit Nennspannungen von 30 V bis 60 V und R_DS(ON)-Werten von nur 12 mΩ (typisch) bieten sie das effiziente Schalten mit minimalen Leitungsverlusten. Die Trench-MOSFET-Technologie gewährleistet eine niedrige Gate-Ladung und schnelles Schalten, während eine AEC-Q101-Zulassung die Zuverlässigkeit in rauen Umgebungen gewährleistet.