e-mode-GaN-FETs

Die e-mode-GaN-FETs von Nexperia bieten optimale Flexibilität in Stromversorgungssystemen und sind ideal für 650-V-Anwendungen mit geringer Leistung. Sie bieten aufgrund ihrer sehr niedrigen QC- und QOSS-Werte eine überragende Schaltleistung und verbessern den Wirkungsgrad von 650-V-AC/DC- und DC/AC-Leistungswandlern. Außerdem ermöglichen sie erhebliche Platz- und Stückkosteneinsparungen bei BLDC- und Mikroservomotorantrieben oder LED-Treibern. Das Portfolio von Nexperia umfasst fünf 650-V-e-mode-GaN-FETs mit R_DS(ON)-Werten zwischen 80 mΩ und 190 mΩ in einer Auswahl von DFN-Gehäusen mit 5 mm x 6 mm und 8 mm x 8 mm. Sie verbessern die Effizienz der Leistungsumwandlung in Hochspannungs- und Niederspannungsanwendungen (<650 V) in den Bereichen Datenkommunikation/Telekommunikation, Verbraucher-, Solar- und Industrieanwendungen. Sie können auch für die Entwicklung von bürstenlosen Gleichstrommotoren und Mikroservoantrieben für Präzision mit höherem Drehmoment und mehr Leistung verwendet werden.