Hochleistungsdioden und -transistoren

Nexperia bietet eine breite Palette an leistungsstarken Dioden und Transistoren, konzipiert für verschiedene Anwendungen in der Automobilfertigung und in der Industrie. Diese Übersicht umfasst Komponenten wie den 1PS10SB82,315, eine Schottky-Diode mit einer maximalen Sperrspannung von 15 V und einem Durchlassstrom von 30 mA, gekapselt in einem DFN1006-2-Gehäuse. Die Komponenten 2PA1774QM,315, 2PA1774QMB,315 und 2PA1774RM,315 sind PNP-Transistoren im SOT883-Gehäuse, mit einem maximalen Kollektorstrom von 100 mA und einer Kollektor-Emitter-Spannung von 40 V. Die Transistoren 2PC4617QM,315, 2PC4617QMB,315 und 2PC4617RMB,315 sind NPN-Transistoren mit ähnlichen Spezifikationen, jedoch mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von 50 V. Die Komponenten BAS116LYL, BAS116LSYL und BAS116LS-QYL sind Dioden mit geringem Leckstrom, einer Sperrspannung von 75 V und einem Durchlassstrom von 325 mA, die in DFN1006-2- und DFN1006BD-2-Gehäuse erhältlich sind.

Diese Komponenten sind für eine zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Umgebungen ausgelegt und erfüllen die AEC-Q101-Normen für Automobilanwendungen. Sie bieten einen geringen Leckstrom, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und ein kompaktes Gehäuse, wodurch sie sich für Anwendungen mit hoher Packungsdichte eignen. Die große Auswahl an verfügbaren Komponenten stellt sicher, dass Entwickler die richtige Lösung für ihre spezifischen Anforderungen finden, sei es für die Spannungsregelung, die Signalschaltung oder das Energiemanagement.