Dual-MOSFET-Gate-Treiber NGD4300

Die NGD4300-Serie von Nexperia umfasst eine Reihe von leistungsstarken Dual-MOSFET-Gate-Treibern, die sowohl High-Side- als auch Low-Side-N-Kanal-MOSFETs in synchronen Abwärts- oder Halbbrückenkonfigurationen ansteuern können. Diese Bausteine wurden entwickelt, um robuste und effiziente Gate-Treiberfunktionen mit einem Spitzenquellenstrom von 4 A und einem Spitzensenkstrom von 5 A zu bieten. Der potentialfreie High-Side-Treiber kann mit Schienenspannungen von bis zu 120 V arbeiten und verwendet eine Bootstrap-Versorgung mit integrierter Diode. Sowohl die Low-Side- als auch die High-Side-Ausgangstreiber verfügen über unabhängige Unterspannungsabschaltungen (UVLO), die den Ausgangstreiber deaktivieren, wenn die Treiberversorgung unter dem Schwellenwert liegt.

Der NGD4300 akzeptiert Eingangssteuersignale, die sowohl TTL- als auch CMOS-Signalen von nur 2,5 V (±10 %) entsprechen, was die Kompatibilität mit verschiedenen Steuersystemen gewährleistet. Die niedrige Spannung, die von einem internen Spannungsregler bereitgestellt wird, dient zur Versorgung der Schaltkreise in den Signalpfaden, die die Low-Side- und High-Side-Leistungsschalter steuern, was einen stromsparenden Betrieb und eine besser kontrollierte Treiberleistung unabhängig von der IC-Versorgungsspannung ermöglicht. Für die Low-Side- und High-Side-Signalpfade wird eine hervorragende Verzögerungsanpassung von typisch 1 ns erreicht. Der NGD4300 wird in SO8-, HWSON8- und HSO8-Gehäusen angeboten und arbeitet in einem erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C.