MOSFETs PSMNxRx für das Stromversorgungsmanagement
MOSFET-Lösungen PSMNxRx von Nexperia bieten erweiterten sicheren Betriebsbereich für Hot-Swapping und Sanftanlauf
Die hochleistungsfähigen N-Kanal-MOSFETs PSMN2R3-100SSE und PSMN1R9-80SSE von Nexperia wurden auf eine überragende Effizienz und Zuverlässigkeit in Stromversorgungsanwendungen ausgelegt. Diese MOSFETs sind Teil des anwendungsspezifischen MOSFET-Angebots (ASFETs) von Nexperia für Hot-Swapping und Sanftanlauf und zeichnen sich durch einen verbesserten sicheren Betriebsbereich (safe operating area, SOA) aus. Der PSMN2R3-100SSE bietet eine maximale Drain-Source-Spannung (VDS) von 100 V und einen extrem niedrigen RDS(ON) von 2,3 mΩ, während der PSMN1R9-80SSE eine VDS von 80 V und einen RDS(ON) von 1,9 mΩ besitzt. Beide Bauelemente sind in einem kompakten und äußerst zuverlässigen LFPAK88-Gehäuse (SOT1235) untergebracht, das eine hervorragende thermische Performance und Robustheit gewährleistet. Diese MOSFETs eignen sich ideal für Anwendungen wie Hot-Swapping, Lastschalter, Sanftanlauf und elektronische Absicherung in Telekommunikations- und Computersystemen, die auf einer 48-V-Backplane oder -Versorgungsschiene basieren. Mit geringen Leitungsverlusten, hoher Strombelastbarkeit und robustem Linearbetrieb sind PSMN2R3-100SSE und PSMN1R9-80SSE die perfekte Wahl für anspruchsvolle Designs im Stromversorgungsmanagement.
- Verbesserter sicherer Betriebsbereich für überlegenen Linearbetrieb
- Äußerst geringer RDS(ON) für reduzierte Leitungsverluste
- Hoher Drain-Strom (ID): 255 A (PSMN2R3-100SSE), 286 A (PSMN1R9-80SSE)
- Maximale Drain-Source-Spannung (VDS): 100 V (PSMN2R3-100SSE), 80 V (PSMN1R9-80SSE)
- Kompaktes LFPAK88-Gehäuse (SOT1235)
- Hohe thermische Performance durch Konstruktion mit Kupferclip
- Niedrige Gate-Ladung (QG): 161 nC (PSMN2R3-100SSE), 155 nC (PSMN1R9-80SSE)
- Hohe Verlustleistung: 341 W (PSMN2R3-100SSE), 340 W (PSMN1R9-80SSE)
- Niedrige Gate-Schwellenspannung (VGS(th)): 2,6 V
- Hohe Zuverlässigkeit und Robustheit
- Zulassung für Sperrschicht-Betriebstemperatur von bis zu +175 °C
- Geringe Sperrverzögerungsladung (QRR)
- Eignung für Anwendungen mit hoher Dichte
- RoHS-konform und bleifrei
- Hot-Swapping
- Lastschaltanwendungen
- Sanftanlauf
- Elektronische Absicherung
- Telekommunikationssysteme
- Computersysteme
- Ennergiemanagementsysteme
- DC/DC-Wandler
- Batteriemanagementsysteme
- Industrielle Automatisierung
- Verbraucherelektronik
- Automobilelektronik
- Ökostromsysteme
- Motorantriebe
- Fahrerassistenzsysteme
PSMNxRx MOSFETs for Power Management
Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
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![]() | ![]() | PSMN2R3-100SSEJ | APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE | 0 - Sofort | $6.73 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | PSMN1R9-80SSEJ | APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE | 2208 - Sofort | $6.73 | Details anzeigen |