MOSFETs PSMNxRx für das Stromversorgungsmanagement

Die hochleistungsfähigen N-Kanal-MOSFETs PSMN2R3-100SSE und PSMN1R9-80SSE von Nexperia wurden auf eine überragende Effizienz und Zuverlässigkeit in Stromversorgungsanwendungen ausgelegt. Diese MOSFETs sind Teil des anwendungsspezifischen MOSFET-Angebots (ASFETs) von Nexperia für Hot-Swapping und Sanftanlauf und zeichnen sich durch einen verbesserten sicheren Betriebsbereich (safe operating area, SOA) aus. Der PSMN2R3-100SSE bietet eine maximale Drain-Source-Spannung (V_DS) von 100 V und einen extrem niedrigen R_DS(ON) von 2,3 mΩ, während der PSMN1R9-80SSE eine V_DS von 80 V und einen R_DS(ON) von 1,9 mΩ besitzt. Beide Bauelemente sind in einem kompakten und äußerst zuverlässigen LFPAK88-Gehäuse (SOT1235) untergebracht, das eine hervorragende thermische Performance und Robustheit gewährleistet. Diese MOSFETs eignen sich ideal für Anwendungen wie Hot-Swapping, Lastschalter, Sanftanlauf und elektronische Absicherung in Telekommunikations- und Computersystemen, die auf einer 48-V-Backplane oder -Versorgungsschiene basieren. Mit geringen Leitungsverlusten, hoher Strombelastbarkeit und robustem Linearbetrieb sind PSMN2R3-100SSE und PSMN1R9-80SSE die perfekte Wahl für anspruchsvolle Designs im Stromversorgungsmanagement.