MOSFETs PSMNxRx für das Stromversorgungsmanagement

MOSFET-Lösungen PSMNxRx von Nexperia bieten erweiterten sicheren Betriebsbereich für Hot-Swapping und Sanftanlauf

Abbildung: MOSFETs PSMNxRx von Nexperia für das StromversorgungsmanagementDie hochleistungsfähigen N-Kanal-MOSFETs PSMN2R3-100SSE und PSMN1R9-80SSE von Nexperia wurden auf eine überragende Effizienz und Zuverlässigkeit in Stromversorgungsanwendungen ausgelegt. Diese MOSFETs sind Teil des anwendungsspezifischen MOSFET-Angebots (ASFETs) von Nexperia für Hot-Swapping und Sanftanlauf und zeichnen sich durch einen verbesserten sicheren Betriebsbereich (safe operating area, SOA) aus. Der PSMN2R3-100SSE bietet eine maximale Drain-Source-Spannung (VDS) von 100 V und einen extrem niedrigen RDS(ON) von 2,3 mΩ, während der PSMN1R9-80SSE eine VDS von 80 V und einen RDS(ON) von 1,9 mΩ besitzt. Beide Bauelemente sind in einem kompakten und äußerst zuverlässigen LFPAK88-Gehäuse (SOT1235) untergebracht, das eine hervorragende thermische Performance und Robustheit gewährleistet. Diese MOSFETs eignen sich ideal für Anwendungen wie Hot-Swapping, Lastschalter, Sanftanlauf und elektronische Absicherung in Telekommunikations- und Computersystemen, die auf einer 48-V-Backplane oder -Versorgungsschiene basieren. Mit geringen Leitungsverlusten, hoher Strombelastbarkeit und robustem Linearbetrieb sind PSMN2R3-100SSE und PSMN1R9-80SSE die perfekte Wahl für anspruchsvolle Designs im Stromversorgungsmanagement.

Merkmale/Funktionen
  • Verbesserter sicherer Betriebsbereich für überlegenen Linearbetrieb
  • Äußerst geringer RDS(ON) für reduzierte Leitungsverluste
  • Hoher Drain-Strom (ID): 255 A (PSMN2R3-100SSE), 286 A (PSMN1R9-80SSE)
  • Maximale Drain-Source-Spannung (VDS): 100 V (PSMN2R3-100SSE), 80 V (PSMN1R9-80SSE)
  • Kompaktes LFPAK88-Gehäuse (SOT1235)
  • Hohe thermische Performance durch Konstruktion mit Kupferclip
  • Niedrige Gate-Ladung (QG): 161 nC (PSMN2R3-100SSE), 155 nC (PSMN1R9-80SSE)
  • Hohe Verlustleistung: 341 W (PSMN2R3-100SSE), 340 W (PSMN1R9-80SSE)
  • Niedrige Gate-Schwellenspannung (VGS(th)): 2,6 V
  • Hohe Zuverlässigkeit und Robustheit
  • Zulassung für Sperrschicht-Betriebstemperatur von bis zu +175 °C
  • Geringe Sperrverzögerungsladung (QRR)
  • Eignung für Anwendungen mit hoher Dichte
  • RoHS-konform und bleifrei
Anwendungen/Zielmärkte
  • Hot-Swapping
  • Lastschaltanwendungen
  • Sanftanlauf
  • Elektronische Absicherung
  • Telekommunikationssysteme
  • Computersysteme
  • Ennergiemanagementsysteme
  • DC/DC-Wandler
  • Batteriemanagementsysteme
  • Industrielle Automatisierung
  • Verbraucherelektronik
  • Automobilelektronik
  • Ökostromsysteme
  • Motorantriebe
  • Fahrerassistenzsysteme

PSMNxRx MOSFETs for Power Management

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFEPSMN2R3-100SSEJAPPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE0 - Sofort$6.73Details anzeigen
APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFEPSMN1R9-80SSEJAPPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE2208 - Sofort$6.73Details anzeigen
Veröffentlicht: 2025-08-05