eFuse: Kfz-Schaltkreisschutz

In der sich rasant weiterentwickelnden Welt der Elektronik werden herkömmliche mechanische Sicherungen zu einem limitierenden Faktor. Da Geräte immer kleiner und komplexer werden und mehr Strom benötigen, ist eine intelligentere und zuverlässigere Lösung unerlässlich. Elektronische Sicherungen (E-Sicherungen oder englisch eFuses) sind die Zukunft des Schaltkreisschutzes.

Als Pionier bei der Umstellung von mechanischen auf elektronische Sicherungen stehen wir an der Spitze der Innovation bei intelligenten Sicherungen. Die eFuse-Lösungen von onsemi sind auf unübertroffene Präzision, Geschwindigkeit und Anpassungsfähigkeit ausgelegt und bieten einen hervorragenden Schutz für moderne elektronische Schaltungen. Im Gegensatz zu herkömmlichen Sicherungen verfügen eFuses über programmierbare Einstellungen, die einstellbare Überstromgrenzen, Rücksetzfunktionen und eine Fehlererkennung in Echtzeit ermöglichen und damit das Schaltungsmanagement sicherer und effizienter machen.

Mit dem Übergang der Automobilindustrie in eine neue Ära intelligenter, vernetzter Fahrzeuge können herkömmliche Sicherungen nicht mehr mit den Anforderungen der modernen Elektronik Schritt halten. Seit 2021 vollziehen führende Automobilmarken diese Umstellung und integrieren elektronische Sicherungen in Elektrofahrzeuge, um einen nahtlosen Wechsel von zentralen zu dezentralen Systemen zu ermöglichen.

Problem

Lösung

Produkt: Betriebseingangsspannungsbereich: Anzahl der Kanäle: Typen: Integrierter Gate-Treiber: Stromgrenze pro Kanal (25C): RDSON pro Kanal (25C): Thermische Abschaltung: Rücksetzbar: Diagnoseausgang: Konfigurierbare Kanalflexibilität: Gehäuse:
NIV3071MTW3TWG 8 V - 60 V 4 High-Side Ja Konfigurierbar 200 mA bis 2,5 A 80 mΩ Ja Ja Digital Vier 2,5-A-Kanäle Zwei 5-A-Kanäle Ein 10-A-Kanal 5x6 WQFN
NIV3071MTW4TWG
NIV3071MTW5TWG
NIV3071MTW6TWG
NCV84045DR2G 4 V - 28 V 1 High-Side Ja 32 A 45 mΩ Ja Ja Analog n. v. 8L SOIC
NCV84090DR2G 4 V - 28 V 1 High-Side Ja 20 A 90 mΩ Ja Ja Analog n. v. 8L SOIC
NCV84120DR2G 4 V - 28 V 1 High-Side Ja 18 A 120 mΩ Ja Ja Analog n. v. 8L SOIC
NCV84140DR2G 4 V - 28 V 1 High-Side Ja 12 A 140 mΩ Ja Ja Analog n. v. 8L SOIC
NCV84160DR2G 4,5 V - 28 V 1 High-Side Ja 10 A 160 mΩ Ja Ja Analog n. v. 8L SOIC
NCV8450ASTT3G 4,5 V - 45 V 1 High-Side Ja 0,8 A 1000 mΩ Ja Ja n. v. n. v. SOT-223
NCV8452STT1G 5 V - 34 V 1 High-Side Ja 2,3 A 160 mΩ Ja Ja n. v. n. v. SOT-223
NCV8452STT1G
NCV8445DR2G 6 V - 36 V 1 High-Side Ja 6 A 45 mΩ Ja Ja Digital n. v. 8L SOIC
NCV8460ADR2G 6 V - 36 V 1 High-Side Ja 6 A 36 mΩ Ja Ja Digital n. v. 8L SOIC
NCV8461DR2G 5 V - 34 V 1 High-Side Ja 1,2 A 350 mA Ja Ja Digital n. v. 8L SOIC