Bidirektionaler Hochspannungs-GaN-Schalter TP65B110HRU (650 V und 110 mΩ)

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Produktempfehlungen > Bidirektionaler Hochspannungs-GaN-Schalter TP65B110HRU (650 V und 110 mΩ)

            Bidirektionaler Hochspannungs-GaN-Schalter TP65B110HRU (650 V und 110 mΩ)
                    Der bidirektionale 650-V-110-mΩ-Hochspannungs-GaN-Schalter TP65B110HRU von Renesas verfügt über eine integrierte Freilaufdiode mit geringem Spannungsabfall
    

Abbildung: Bidirektionaler Hochspannungs-GaN-Schalter TP65B110HRU (650 V und 110 mΩ) von Renesas Der TP65B110HRU ist ein bidirektionaler Common-Drain-Schalter (BDS) mit 650 V und 110 mΩ, der auf der bidirektionalen SuperGaN®-Gen-I-Plattform von Renesas basiert. Er leitet Strom und sperrt Spannung in beiden Richtungen bei minimalem Platzbedarf und einer hervorragenden Schaltleistung. Die Komponente kombiniert einen monolithischen, bidirektionalen Hochspannungs-GaN-Baustein im Verarmungsmodus mit normalerweise ausgeschalteten Niederspannungs-Silizium-MOSFETs, um eine überragende Leistung, einen hohen Schwellenwert für Kompatibilität mit Standard-Gate-Treibern, eine einfache Integration und robuste Zuverlässigkeit für anspruchsvolle Leistungsanwendungen zu bieten.

Merkmale/Funktionen

±650 V Nennspannung für Wechselstrom und Gleichstrom (Dauerbetrieb), ±800 V Nennspannung für transiente Spannungen
Isoliertes Gate mit hoher Schwellenspannung (V_TH)
Integrierte Freilaufdiode mit geringem Spannungsabfall
Keine Sperrschichtladung
Niedrige Gate-Ladung (Q_g) und niedrige Ausgangsladung (Q_oss)