Um der Nachfrage nach einem breiten Widerstandsbereich gerecht zu werden, hat ROHM Semiconductor die GMR-Serie von Shunt-Widerständen für einen Bereich von 5 mΩ bis 220 mΩ entwickelt. Dank einzigartiger Materialien und Struktur ist ROHM in der Lage, den Oberflächentemperaturanstieg um 45 % im Vergleich zu herkömmlichen Produkten zu reduzieren. Als Resultat wird ein stabiler Widerstand nicht nur während des normalen Betriebs, sondern auch bei Überstromlasten erzielt. Darüber hinaus führt die Verwendung einer Hochleistungslegierung als resistives Element zu einem ausgezeichneten Temperaturkoeffizienten des Widerstands (TCR), selbst im Niedrigwiderstandsbereich, was eine höhere Genauigkeit und Zuverlässigkeit gewährleistet. Die proprietäre Struktur unterstützt eine niedrigere Bauhöhe (0,4 mm), 47 % flacher als bisherige Lösungen. Dies gewährleistet ausreichenden Spielraum in Designs mit anspruchsvollen Temperaturanforderungen, wie etwa automobiltechnische und industrielle Anwendungen, reduziert den Designaufwand und liefert damit einen Beitrag zur weiteren Miniaturisierung des Endprodukts.
Anwendungen |
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- Automobiltechnik (ECU, EFI, Schaltkreise in der Motorperipherie)
- Industrie (FA-Geräte, Motoren und periphere Schaltungen, Netzteile)
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- Große Haushaltsgeräte (Klimaanlagen, Waschmaschinen und Kühlschränke)
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