MOSFET RA1C030LDT5CL

Der RA1C030LD von ROHM wird im DSN1006-3-Wafer-Level-Gehäuse in Chip-Größe (1,0 mm x 0,6 mm) angeboten, das die Vorteile des proprietären IC-Prozesses von ROHM nutzt und damit eine niedrige Verlustleistung zusammen mit einer größeren Miniaturisierung erreicht. In Bezug auf die Gütefaktoren, die das Verhältnis zwischen Leitungs- und Schaltverlusten (ON-Widerstand × Q_gd) ausdrücken, wurde ein branchenführender Wert erreicht, der um 20 % niedriger ist als bei Standardgehäuse-Produkten im selben Gehäuse (1,0 mm x 0,6 mm oder kleiner), was zu einer deutlich kleineren Fläche auf der Platine und zu einem höheren Wirkungsgrad bei einer Vielzahl von kompakten Geräten beiträgt. Gleichzeitig bietet die einzigartige Struktur des Gehäuses von ROHM einen isolierten Schutz für die Seitenwände (im Gegensatz zu Standardprodukten im selben Gehäuse ohne Schutz). Dadurch wird das Risiko von Kurzschlüssen aufgrund von Kontakten zwischen Komponenten in kompakten Geräten verringert, wo aus Platzgründen mit hoher Dichte montiert werden muss; dies trägt zu einem sichereren Betrieb bei.