Leistungs-MOSFETs der Serie RS7

Die Leistungs-MOSFETs der Serie RS7 von ROHM sind für eine außergewöhnliche Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen ausgelegt. Diese MOSFETs zeichnen sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand, eine hohe Verlustleistung und ein robustes Gehäuse aus und eignen sich daher ideal für hocheffiziente Energiemanagement-Lösungen. Der RS7E200BGTB1 bietet eine Drain-Source-Spannung von 30 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von 390 A, während der RS7N200BHTB1 und der RS7N160BHTB1 80 V mit 230 A bzw. 160 A liefern. Alle drei Modelle sind im kompakten DFN5060T8LSHAAE-Gehäuse untergebracht, das ein effizientes Wärmemanagement und platzsparende Vorteile bietet. Diese MOSFETs eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Schaltnetzteile, Motorantriebe und DC/DC-Wandler, und sind RoHS- und halogenfrei, was einen umweltfreundlichen Betrieb gewährleistet.