Halbbrücke mit hoher Leistungsdichte MASTERGAN1

Der Baustein MASTERGAN1 von STMicroelectronics ist der weltweit erste 600-V-Halbbrückentreiber mit einem GaN-HEMT-System-im-Gehäuse (SiP) und das erste Element der MASTERGAN-Plattform. Der Halbbrückentreiber MASTERGAN1 ist kompakt, sodass die Stromversorgung mit hoher Leistungsdichte - die sogar viermal kleiner ist als die auf MOSFET-Schaltern basierende Stromversorgung - dank der höheren Schaltfrequenz von GaNs und der hohen Integration sowohl des Treibers als auch zweier GaN-Schalter im gleichen Gehäuse realisiert werden kann. Er bietet auch Robustheit. Der Offline-Treiber ist für GaN HEMT optimiert und ermöglicht ein schnelles, effektives und sicheres Ansteuern und eine Vereinfachung des Layouts. Die Verwaltung diskreter GaN-Schalter könnte schwierig sein, aber der eingebettete Treiber verwaltet GaN-Schalter und vereinfacht das Stromversorgungsdesign.