Galvanisch getrennter Single-Gate-Treiber STGAP2SiCS für SiC-MOSFETs

Der STGAP2SiCS von STMicroelectronics ist ein Hochspannungs-Gate-Treiber (bis zu 1200 V), der mit BCD6s-Technologie gefertigt wird. Er ist in eine 6 kV galvanische Trennung zwischen dem Gate-Treiberkanal und der Niederspannungs-Steuerungs- und Schnittstellenschaltung eingebunden. Er gehört zur Produktfamilie der 6 kV galvanisch getrennten Komponenten in einem kompakten Gehäuse. Der Geräteausgang kann bis zu 4 A verarbeiten (Senke und Quelle). Die Vermeidung von Querschlüssen wird durch eine Verriegelungsfunktion sichergestellt. Die Komponente verfügt über dedizierte Eingangspins für jeden Ausgang. Die Logikeingänge sind für eine einfache Verbindung mit Steuergeräten bis minimal 3,3 V CMOS/TTL-kompatibel. Abgestimmte Verzögerungen zwischen dem Low- und High-Side-Abschnitt verhindern garantiert Taktverzerrungen und ermöglichen den Hochfrequenzbetrieb. Der STGAP2SiCS ist in zwei verschiedenen Konfigurationen erhältlich. Die Konfiguration mit getrennten Ausgangspins ermöglicht Anwendern, das Ein- und Ausschalten durch Verwendung eines dedizierten Gate-Widerstandes unabhängig voneinander zu optimieren. Die Konfiguration mit einem einzelnen Ausgangspin und Miller-Klemmfunktion vermeidet Gate-Spitzen bei schnellen Kommutierungen in Halbbrückentopologien.