Taiwan Semiconductor

Hocheffizienter 1.200-V-Gleichrichter

Gleichrichter von Taiwan Semiconductor erweitern Hochvoltangebot um oberflächenmontierte Gehäuse für Automobilindustrie

Abbildung: Hocheffiziente 1.200-V-Gleichrichter von Taiwan SemiconductorDie hocheffizienten 1.200-V-Gleichrichter von Taiwan Semiconductor in branchenüblichen Gehäusen sind für das Bootstrapping und die Entsättigung von IGBT- oder MOSFET-Gate-Treibern in Hochvoltbatteriesystemen von Elektrofahrzeugen vorgesehen. Weitere Anwendungen sind alternative Energiesysteme, Messgeräte, Beleuchtung und die Gleichrichtung in Hochspannungsnetzen.

Merkmale/Funktionen
  • Niedrige CJ
  • Geringe trr: 75 ns (maximal)
  • Einhaltung von Vorgaben bezüglich Betriebsumgebung:
  • TJ: +175 °C (maximal)
  • Branchenübliche Gehäuse
Anwendungen/Zielmärkte
  • Bootstrapping
  • Entsättigung
  • Snubber-Schaltung
  • Freilauf
  • Gleichrichtung
  • Schutz von HV-Sperrdioden

1,200 V High-Efficiency Rectifiers

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
DIODE STANDARD 1200V 1A DO214ACHS1QDIODE STANDARD 1200V 1A DO214AC6718 - Sofort$0.33Details anzeigen
DIODE STANDARD 1200V 1A DO214ACHS1QHDIODE STANDARD 1200V 1A DO214AC6920 - Sofort$0.36Details anzeigen
DIODE STANDARD 1200V 1A DO214AAHS1QBDIODE STANDARD 1200V 1A DO214AA2945 - Sofort$0.38Details anzeigen
DIODE STANDARD 1200V 1A DO214AAHS1QBHDIODE STANDARD 1200V 1A DO214AA1770 - Sofort$0.41Details anzeigen
Veröffentlicht: 2025-02-21