1200-V-SiC-Schottky-Dioden für Leistungsdesigns der nächsten Generation

1200-V-SiC-Schottky-Dioden von Taiwan Semiconductor ermöglichen Auslegung effizienterer und zuverlässigerer Stromversorgungssysteme

Abbildung: 1200-V-SiC-Schottky-Dioden von Taiwan Semiconductor für Stromversorgungsdesigns der nächsten GenerationDie 1200-V-SiC-Schottky-Dioden von Taiwan Semiconductor (TSC) mit großer Bandlücke bieten Effizienz und Zuverlässigkeit auf höchstem Niveau für moderne Energiewandlungssysteme. Diese SiC-Dioden nutzen hochentwickelte MPS-Technologie (Merged PIN Schottky) und bieten extrem niedrige Leckströme in Sperrrichtung, schnelles Schalten und eine hervorragende Überspannungsfestigkeit, womit sie sich ideal für Schnellladeinfrastrukturen für Elektrofahrzeuge, industrielle Telekommunikationssysteme und Energiespeichersysteme eignen.

Die 1-A- und 2-A-Versionen sind in kompakten SOD-128- und SMB-Gehäusen untergebracht und verfügen über verbesserte Kriechstrecken für eine höhere elektrische Isolierung. Für Anwendungen mit höheren Strömen umfasst das Portfolio TO-247-3L-Bauteile mit einem Nennstrom von bis zu 40 A, die die Anforderungen an ein skalierbares Stromversorgungsdesign erfüllen. Alle Komponenten entsprechen AEC-Q101 und sind für eine Sperrschichttemperatur (TJ) von bis zu +175 °C ausgelegt, was eine langfristige thermische und elektrische Stabilität gewährleistet.

Mit einem positiven Temperaturkoeffizienten und den inhärenten Vorteilen von Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke vereinfachen diese SiC-Schottky-Gleichrichter das Wärmemanagement und ermöglichen kompaktere, energieeffizientere Systemdesigns. Die SiC-Dioden von TSC erfüllen die wachsende Nachfrage nach zuverlässiger, leistungsstarker Leistungselektronik in Anwendungen der nächsten Generation.

Merkmale/Funktionen
  • AEC-Q101-Zulassung
  • SOD-128 mit bauartbedingter Mindestkriechstrecke von 3,2 mm
  • SMB mit bauartbedingter Mindestkriechstrecke von 2,6 mm
  • Max. TJ von +175 °C
  • MPS-Konstruktion
  • Positiver Temperaturkoeffizient (VF)
  • RoHS-konform
  • Halogenfrei
Anwendungen/Zielmärkte
  • Hochfrequenz-Gleichrichtung mit Leistungsfaktorkorrektur
  • DC-Schnellladestationen für Elektrofahrzeuge
  • Bootstrap und entsättigte Dioden
  • Netzenergiespeichersysteme (ESS)
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
  • PV-Mikrowechselrichter in Solar-Wechselrichtersystemen
  • Gleichrichter für Telekommunikationsanwendungen

1200 V SiC Schottky Diodes

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
1A 1200V SIC SCHOTTKY DIODETSCDFS01120G2H1A 1200V SIC SCHOTTKY DIODE3490 - Sofort$1.29Details anzeigen
2A 1200V SIC SCHOTTKY DIODETSCDB02120G2H2A 1200V SIC SCHOTTKY DIODE3000 - Sofort$1.30Details anzeigen
1A 1200V SIC SCHOTTKY DIODETSCDB01120G2H1A 1200V SIC SCHOTTKY DIODE2890 - Sofort$1.79Details anzeigen
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Veröffentlicht: 2025-08-19