40-V-MOSFET der Serie PerFET™ verbessert SMPS-Leistung

Die ein- und zweikanaligen 40-V-Leistungs-MOSFETs der Serie PerFET von Taiwan Semiconductor basieren auf proprietären Komponentenstrukturen und -verfahren, die einen außerordentlich niedrigen Einschaltwiderstand (R_DS(ON)) Gütefaktor (FOM) der Schaltung ermöglichen. Die PerFET-Komponente erzielt eine Verringerung des R_DS(ON) um 50 Prozent und des FOM um 40 Prozent, das dieses Sortiment branchenweit zum Spitzenreiter macht. Die 40-V-N-Kanal-PerFET-Plattform umfasst Optionen sowohl für Standardanforderungen (10 V) als auch für Logikpegelanforderungen (5 V) der Gate-Steuerung bei gleichzeitiger Wahrung einer robusten Sicherheitsbereichsspanne im Fall von Schaltspannungstransienten und Avalanche in Schaltanwendungen.

Merkmale/Funktionen

• 50%ige Reduzierung des RDS_(ON): Geringere Verlustleistung
• 40%ige FOM-Verbesserung: Verbesserte Schaltleistung
• Benetzbare Flanken: Verbesserung bei der Zuverlässigkeit der Lötstellen und bei der automatisierten optischen Inspektion (AOI)
• Einzel- und Doppelkanal-Gehäuse
• 100 % UIS- und R_g-getestet
• AEC-Q-Zulassung für die Automobilindustrie: +175 °C T_J(max) zwingend erforderlich für Automobil- und Industrieanwendungen – PPAP-Dokumentation ist verfügbar
• Globale Materialkonformität: RoHS-konform, halogenfrei (gemäß IEC-61249-2-21), WEEE, REACH, California Prop. 65, JESD-201-Klasse-2-Whisker-Test, und andere