Dreiphasen-Gate-Treiber DRV3233-Q1

Der Dreiphasen-Gate-Treiber DRV3233-Q1 von Texas Instruments für 12-V- und 24-V-Batterien im Automobilbereich verfügt über eine präzise Strommessung

Abbildung: Dreiphasen-Gate-Treiber DRV3233-Q1 von Texas InstrumentsDer integrierte Smart-Gate-Treiber DRV3233 von Texas Instruments eignet sich ideal für dreiphasige 12-V- und 24-V-BLDC-Anwendungen in der Automobilindustrie. Die Komponente enthält drei Halbbrücken-Gate-Treiber, die jeweils High- und Low-Side-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs ansteuern können. Der DRV3233 erzeugt die korrekten Gate-Treiberspannungen mithilfe einer integrierten Bootstrap-Diode und einer GVDD-Ladungspumpe. Die intelligente Gate-Treiber-Architektur unterstützt einen konfigurierbaren Gate-Treiber-Spitzenstrom von 0,8 mA bis 1 A Quelle und 2 A Senke. Der DRV3233 kann mit einer einzelnen Spannungsversorgung betrieben werden und unterstützt einen großen Eingangsspannungsbereich von 4,5 V bis 60 V. Eine Erhaltungsladungspumpe ermöglicht eine 100-prozentige PWM-Tastverhältnissteuerung und liefert eine Overdrive-Versorgungsspannung für externe Schalter.

Der DRV3233 bietet Low-Side-Strommessverstärker zur Unterstützung der widerstandsbasierten Low-Side-Strommessung. Der geringe Offset der Verstärker ermöglicht es dem System, präzise Motorstrommessungen durchzuführen. Eine Vielzahl von Diagnose- und Schutzfunktionen, die in den DRV3233 integriert sind, ermöglichen ein robustes Motorantriebssystem und machen externe Komponenten überflüssig. Das hochgradig konfigurierbare Ansprechverhalten der Komponente ermöglicht die nahtlose Integration in eine Vielzahl von Systemdesigns.

Merkmale
  • Optionen für verschiedene Temperaturen
    • DRV3233EPHP: -40 °C bis +150 °C, TA
    • DRV3233QPHP (in Vorbereitung): -40 °C bis +125 °C, TA
  • Auf funktionale Sicherheit ausgerichtet
    • Entwickelt für funktionale Sicherheitsanwendungen
    • Dokumentation zur Unterstützung des ISO-26262-Systemdesigns wird verfügbar sein
    • Systembelastbarkeit bis zu ASIL-D angestrebt
  • Dreiphasen-Halbbrücken-Gate-Treiber
    • Ansteuerung von sechs N-Kanal-MOSFETs (NMOS)
    • Großer Betriebsspannungsbereich von 4,5 V bis 60 V
    • Bootstrap-Architektur für High-Side-Gate-Treiber
    • Ladungspumpe für 50 A durchschnittlichen Gate-Strom
    • Unterstützung von 100 % PWM-Tastverhältnis
    • Overdrive-Versorgung externer Schalter
  • Intelligente Gate-Treiber-Architektur
    • 45-stufig konfigurierbarer Gate-Treiber-Spitzenstrom bis zu 1000 mA/2000 mA (Quelle/Senke)
    • Dreistufige dynamische Antriebsstromregelung
    • Weiche Abschaltung zum Schutz der Leistungsstufe
  • AEC-Q100-qualifiziert für Automobilanwendungen
  • Low-Side-Strommessverstärker
    • Niedriger Eingangsoffset von unter 1 mV über die Temperatur
    • Neunstufig einstellbare Verstärkung
  • Detaillierte Konfiguration und Diagnose auf SPI-Basis
  • DRVOFF-Pin zur unabhängigen Deaktivierung des Treibers
  • Hochspannungs-Wake-up-Pin (nSLEEP)
  • Mehrere PWM-Schnittstellenoptionen verfügbar
    • 6x-, 3x- und 1x-PWM-Modi
    • PWM über SPI
  • Unterstützung von 3,3-V- und 5-V-Logikeingängen
  • Optional programmierbares OTP zum Zurücksetzen der Einstellungen
  • Erweiterte und konfigurierbare Schutzfunktionen
    • Überwachung der Batterie- und Netzteilspannung
    • Komparator für Phasenrückkopplung
    • Analoger eingebauter Selbsttest, Taktüberwachung
    • Stift für die Fehlerzustandsanzeige
    • MOSFET-VVDS- und Rsense-Überstromüberwachung
Schaltplan
    Abbildung: Schaltplan des DRV3233-Q1 von Texas Instruments
Anwendungen
  • 12-V/24-V-Motorsteuerungsanwendungen für Kraftfahrzeuge
    • Elektrische Servolenkung und Steer-by-Wire-Lenkung
    • Elektromechanische Bremse, Bremskraftverstärkung und Brake-by-Wire
    • Shift-by-Wire-Getriebe
    • Pumpen für die Automobilindustrie

DRV3233-Q1 Three-Phase Gate Driver

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AUTOMOTIVE 12V AND 24V BATTERY 3DRV3233EPHPRQ1AUTOMOTIVE 12V AND 24V BATTERY 3995 - Sofort$13.57Details anzeigen
Veröffentlicht: 2025-01-13