Der LM5113 von Texas Instruments ist so konzipiert, dass er sowohl die High-Side- als auch die Low-Side-Anreicherungs-Galliumnitrid(GaN)-FETs in einer synchronen Abwärtswandler- oder einer Halbbrückenkonfiguration treiben kann. Der potentialfreie High-Side-Treiber ist in der Lage, einen High-Side-Anreicherungs-GaN-FET zu treiben, der bei bis zu 100 V betrieben wird. Die High-Side-Vorspannung wird unter Verwendung einer Bootstrap-Technik erzeugt und wird bei 5,2 V intern geklemmt, wodurch verhindert wird, dass die Gate-Spannung die maximale Gate-Source-Nennspannung des Anreicherungs-GaN-FETs überschreitet. Die Eingänge des LM5113 sind kompatibel zur TTL-Logik und tolerieren Eingangsspannungen von bis zu 14 V, unabhängig von der VDD-Spannung. Der LM5113 verfügt über geteilte Gate-Ausgänge und bietet die Flexibilität, die Einschalt- und Abschaltfestigkeit unabhängig einzustellen.
Darüber hinaus hält die starke Senkenfähigkeit des LM5113 das Gate im LOW-Zustand und verhindert ein unbeabsichtigtes Einschalten während des Schaltens. Der LM5113 kann bei bis zu mehreren MHz betrieben werden. Der LM5113 ist in einem handelsüblichen 10-poligen WSON-Gehäuse und einem 12-Bump-DSBGA-Gehäuse erhältlich. Das 10-polige WSON-Gehäuse enthält ein freiliegendes Pad, um die Verlustleistung zu unterstützen. Das DSBGA-Gehäuse bietet kompakte Abmessungen und minimierte Gehäuseinduktivität.
| Merkmale |
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- Unabhängige High-Side- und Low-Side-TTL-Logikeingänge
- 1,2 A/5 A Quellen-/Senkenspitzenstrom
- Betrieb der potentialfreien High-Side-Vorspannungsschiene bei bis zu 100 VDC
- Interne Bootstrap-Versorgungsspannungsklemmung
- Geteilte Ausgänge für einstellbare Ein-/Ausschaltfestigkeit
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- 0,6Ω-/2,1Ω-Pull-Down-/-Pull-up-Widerstand
- Schnelle Signallaufzeiten (28 ns typisch)
- Excellente Anpassung der Laufzeitverzögerung (1,5 ns typisch)
- Versorgungsschienen-Unterspannungssperre
- Geringe Leistungsaufnahme
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| Anwendungen |
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- Stromgespeiste Push-Pull-Wandler
- Halb- und Vollbrückenwandler
- Synchroner Abwärtswandler
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- Zwei-Schalter-Vorwärtswandler
- Vorwärtsregelung mit aktiven Klemmenwandlern
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Der LM5113 von Texas Instruments ist so konzipiert, dass er sowohl die High-Side- als auch die Low-Side-Anreicherungs-Galliumnitrid(GaN)-FETs in einer synchronen Abwärtswandler- oder einer Halbbrückenkonfiguration treiben kann. Der potentialfreie High-Side-Treiber ist in der Lage, einen High-Side-Anreicherungs-GaN-FET zu treiben, der bei bis zu 100 V betrieben wird. Die High-Side-Vorspannung wird unter Verwendung einer Bootstrap-Technik erzeugt und wird bei 5,2 V intern geklemmt, wodurch verhindert wird, dass die Gate-Spannung die maximale Gate-Source-Nennspannung des Anreicherungs-GaN-FETs überschreitet. Die Eingänge des LM5113 sind kompatibel zur TTL-Logik und tolerieren Eingangsspannungen von bis zu 14 V, unabhängig von der VDD-Spannung. Der LM5113 verfügt über geteilte Gate-Ausgänge und bietet die Flexibilität, die Einschalt- und Abschaltfestigkeit unabhängig einzustellen.
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