80-V-GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe LMG5200

Die Komponente LMG5200 von Texas Instruments ist ein Treiber und eine GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe mit 80 V und 10 A, die eine integrierte Leistungsstufe mit Galliumnitrid-(GaN)-FET des Anreicherungstyps bilden. Die Komponente umfasst zwei 80-V-GaN-FET, die durch einen Hochfrequenz-GaN-FET-Treiber in einer Halbbrücken-Konfiguration gespeist werden.

GaN-FET bieten erhebliche Vorteile für die Leistungswandlung, da sie einer Sperrverzögerung von annähernd Null und eine sehr geringe Eingangskapazität C_ISS besitzen. Alle Komponenten sind auf einer vollständig bonddrahtlosen Gehäuseplattform mit minimalen durch das Gehäuse verursachten parasitären Elementen montiert. Die Komponente LMG5200 ist in einem bleifreien Gehäuse mit 6 mm x 8 mm x 2 mm erhältlich und kann leicht auf Leiterplatten montiert werden.

Die Eingänge sind TTL-Logik-kompatibel und tolerieren Eingangsspannungen von bis zu 12 V, unabhängig von der V_CC-Spannung. Das proprietäre Bootstrap-Spannungsbegrenzungsverfahren sorgt dafür, dass die Gate-Spannungen der Anreicherungs-GaN-FET innerhalb des sicheren Betriebsbereichs liegen.

Die Komponente ergänzt die Vorteile diskreter GaN-FET mit einer benutzerfreundlicheren Schnittstelle. Sie bildet eine ideale Lösung für Anwendungen, die den extrem effizienten Hochfrequenzbetrieb in einem kleinen Formfaktor erfordern. Bei Einsatz mit dem Controller TPS53632G ermöglicht die LMG5200 die direkte Umwandlung von 48 V in Lastpunkt-Spannungen (0,5 V bis 1,5 V).