Abwärtswandler TPS54116-Q1

TI bietet seine DDR-Stromversorgungslösung TPS54116-Q1 für die Automobiltechnik mit 4-A-, 2-MHz-VDDQ-DC/DC-Wandler, 1-A-VTT-LDO und VTTREF-gepuffertem Referenzausgang

Abbildung: Abwärtswandler TPS54116-Q1 von Texas InstrumentsDie Komponente TPS54116-Q1 von Texas Instruments ist ein voll ausgestatteter 6-V-, 4-A-Synchron-Abwärtswandler mit zwei integrierten MOSFETs und einem 1-A-Sink/Source-DDR-VTT-Abschlussregler mit einem VTTREF-gepufferten Referenzausgang. Der Abwärtsregler TPS54116-Q1 minimiert die Größe der Lösung durch Integration der MOSFETs und Verringerung der Induktivitätsgröße mit einer Schaltfrequenz von bis zu 2,5 MHz. Die Schaltfrequenz kann für rauschempfindliche Anwendungen auf Werte über dem Mittelwellenfrequenzband eingestellt werden und ist mit einem externen Taktgeber synchronisierbar. Die Synchrongleichrichtung behält eine feste Frequenz über den gesamten Ausgangslastbereich. Der Wirkungsgrad wird durch integrierte 25-mΩ-Low-Side- und 33-mΩ-High-Side-MOSFETs maximiert. Eine zyklusweise Spitzenstrombegrenzung schützt die Komponente bei Überströmen und lässt sich mit einem Widerstand am ILIM-Pin einstellen, um sie für kleinere Induktivitäten zu optimieren.

Der VTT-Abschlussregler behält ein schnelles Einschwingverhalten mit Keramik-Ausgangskondensatoren mit nur 2 x 10 µF bei und reduziert so die Anzahl externer Komponenten. Der TPS54116-Q1 nutzt die Fernabtastung der VTT zur optimalen Regulierung. Bei Nutzung der Freigabepins zum Einleiten eines Abschalt-Modus sinkt der Versorgungsstrom auf 1 µA. Die Schwellenwerte für die Unterspannungsabschaltung können mit einem Widerstandsnetzwerk an einem der Freigabepins eingestellt werden. Die VTT- und VTTREF-Ausgänge werden bei Sperrung über ENLDO entladen. Volle Integration minimiert die Grundfläche des ICs in einem kleinen, thermisch verbesserten WQFN-Gehäuse mit 4 mm x 4 mm.

Merkmale
  • AEC-Q100-Zulassung mit folgenden Ergebnissen:
    • Komponente der Temperaturklasse 1: Betriebsumgebungstemperaturbereich -40 °C bis 125 °C
    • Stufe 2 der HBM-ESD-Komponenteneinstufung
    • Geräte-CDM-ESD-Klassifizierung Stufe C6
  • 1-A-Sink/Source-Abschluss-LDO mit Genauigkeit von ±20 mV DC
    • Stabil mit MLCC-Kondensatoren mit 2 x 10 µF
    • Gepufferter 10-mA-Sink/Source-Referenzausgang, der auf 49 % bis 51 % von VDDQ geregelt wird
  • Unabhängige Freigabepins mit einstellbarer UVLO und Hysterese
  • Thermische Abschaltung
  • Einzelchip-Stromversorgungslösung für DDR2-, DDR3- und DDR3L-Speicher
  • 4-A-Synchron-Abwärtswandler
    • Integrierte 33-mΩ-High-Side- und 25-mΩ-Low-Side-MOSFETs
    • Stromschaltsteuerung mit fester Frequenz
    • Einstellbare Frequenz von 100 kHz bis 2,5 MHz
    • Synchronisation mit externem Taktgeber möglich
    • Spannungsreferenz von 0,6 V ± 1 % über den gesamten Temperaturbereich
    • Einstellbare zyklusweise Spitzenstrombegrenzung
    • Monotoner Start auf vorgespannten Ausgang
  • 24-poliges WQFN-Gehäuse mit 4 mm x 4 mm
  • Betriebs-TJ von -40 °C bis 150 °C

TPS54116-Q1 Step-Down Converters

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
IC REG CONV DDR 1OUT 24WQFNTPS54116QRTWTQ1IC REG CONV DDR 1OUT 24WQFN445 - Sofort$5.70Details anzeigen
IC REG CONV DDR 1OUT 24WQFNTPS54116QRTWRQ1IC REG CONV DDR 1OUT 24WQFN681 - Sofort$4.84Details anzeigen
Veröffentlicht: 2016-10-05