Einkanaliger isolierter Gate-Treiber UCC21750 für SiC/IGBT

Der galvanisch getrennte Einkanal-Gate-Treiber UCC21750 von Texas Instruments ist für SiC-MOSFET und IGBT mit einer Betriebsspannung von bis 2.121 V_DC ausgelegt und bietet erweiterte Schutzfunktionen, eine erstklassige dynamische Leistung sowie eine hohe Robustheit. Der UCC21750 besitzt einen Spitzen-Source- und -Sink-Strom von bis zu ±10 A. Die Eingangsseite ist per kapazitiver SiO₂-Isolationstechnologie von der Ausgangsseite getrennt, was die Unterstützung einer Arbeitsspannung von bis zu 1,5 kV_RMS sowie einer Überlastimmunität von 12,8 kV_PK mit einer Lebensdauer der Isolationsbarriere von mehr als 40 Jahren ermöglicht und für einen geringen Teilversatz sowie eine Gleichtakt-Störfestigkeit (CMTI) von mehr als 150 V/ns sorgt.

Der UCC21750 verfügt über die neuesten Schutzfunktionen wie eine schnelle Überstrom- und Kurzschlusserkennung, eine Unterstützung für die Erkennung von Nebenschlussströmen, Fehlermeldevorrichtungen, eine aktive Miller-Klemme sowie eine Unterspannungsabschaltung der ein- und ausgangsseitigen Stromversorgung, um das Schaltverhalten und die Robustheit von SiC und IGBT zu optimieren. Der isolierte Analog/PWM-Sensor kann zur einfacheren Temperatur- und Spannungserfassung verwendet werden, wodurch die Vielseitigkeit des Treibers erhöht und Aufwand, Größe sowie Kosten für das Systemdesign verringert werden.