Leistungs-MOSFET der Serie U-MOSVIII-H

Industrielle 60-V- und 100-V-MOSFET der Serie U-MOSVIII-H von Toshiba mit niedrigem RDS(on) und geringem Schaltverlust für Industrie- und Beleuchtungsanwendungen

Abbildung: Industrielle MOSFET der Serie U-MOSVIII-H von ToshibaSSM3K341 (60 V) und SSM3K361 (100 V) von Toshiba sind industrielle Leistungs-MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand, die sich für die Lastschaltung in Fernsehgeräten und Industriebeleuchtung eignen. Außerdem bilden sie eine gute Wahl für industrielle Automatisierungssysteme, die niedrige bis mittlere Energiemengen benötigen.

Die steigende Nachfrage nach stromsparenden LED hat zum zunehmenden Einsatz von N-Kanal-MOSFET als Schalter für LED-Treiber geführt. SSM3K341R und SSM3K361R von Toshiba widmen sich dieser Nachfrage mit dem branchenweit besten Nennwerten beim typischen RDS(ON), der in einem SOT-23F-Gehäuse (bei VGS = 4,5 V) laut einer internen Studie von Toshiba im Jahre 2016 36 mΩ bzw. 65 mΩ beträgt. Darüber hinaus unterstützen beide Komponenten eine maximale Kanaltemperatur von 175 °C, wodurch sie in einer breiten Palette von anspruchsvollen industriellen Anwendungen verwendet werden können. Sie sind zudem in einem UDFN6-Gehäuse erhältlich, das kompakter ist, aber durch die große Metallfläche auf der Unterseite dennoch eine überlegene Wärmeabgabe bietet.

Das SOT-23F-Gehäuse reduziert die Wärmeabgabe aufgrund des Inbetriebnahmeverlustes um etwa 65 % im Vergleich zu früheren Produkten von Toshiba. Die geringe Baugröße dieser MOSFET behält das gleiche Maß an Wärmeabgabe bei und reduziert gleichzeitig die Gesamtgrundfläche um ca. 64 % im Vergleich zu herkömmlichen SOT-89-Gehäusen. Das TSOP6F ist ein ähnlich leistungsstarkes Gehäuse für den SSM6N815R, das zwei 100-V-N-Kanal-MOSFET beherbergt.

Merkmale
  • Kleine N-Kanal-Leistungs-MOSFET
  • Branchenübliche SOT-23F-Gehäuse
  • Eignung für Anwendungen mit 60 V/6 A und 100 V/3,5 A
  • Hochtemperaturbeständigkeit mit Kanaltemperatur von bis zu 175 °C
  • Branchenführender Betriebswiderstand
    • Typischer Betriebswiderstand von SSM3K341R und SSM6K341NU beträgt 36 mΩ
    • Typischer Betriebswiderstand von SSM3K361R und SSM6K361NU beträgt 65 mΩ
Anwendungen
  • Industrielle Hochtemperaturanwendungen und industrielle Automatisierung
  • Synchron/Asynchron-Schalter für Verstärkungsschaltungen
  • Weißlicht-LED-Hintergrundbeleuchtung für TV-Bildschirme
  • Hochspannungsschalter zum Ein-/Ausschalten von Lasten

60 V and 100 V U-MOSVIII-H Series Industrial MOSFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungDrain-Source-Spannung (Vdss)Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°CBetriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))Verfügbare MengePreisDetails anzeigen
MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23FSSM3K341R,LFMOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F60 V6 A (Ta)4V, 10V139653 - Sofort$0.56Details anzeigen
MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNBSSM6K341NU,LFMOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB60 V6 A (Ta)4V, 10V7779 - Sofort$0.45Details anzeigen
MOSFET N-CH 60V 6A UFMSSM3K341TU,LFMOSFET N-CH 60V 6A UFM60 V6 A (Ta)4V, 10V57075 - Sofort$0.51Details anzeigen
MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23FSSM3K361R,LFMOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F100 V3,5 A (Ta)4,5V, 10V39888 - Sofort$0.26Details anzeigen
MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNBSSM6K361NU,LFMOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB100 V3,5 A (Ta)4,5V, 10V12303 - Sofort$0.53Details anzeigen
MOSFET N-CH 100V 3.5A UFMSSM3K361TU,LFMOSFET N-CH 100V 3.5A UFM100 V3,5 A (Ta)4,5V, 10V11931 - Sofort$0.55Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPFSSM6N815R,LFMOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPFLogikpegel-Gatter, 4V100V2 A (Ta)257 - Sofort$0.54Details anzeigen
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOPSSM6J801R,LFMOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP20 V6 A (Ta)1,5V, 4,5V3000 - Sofort$0.35Details anzeigen
MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23FSSM3J356R,LFMOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F60 V2 A (Ta)4V, 10V77976 - Sofort$0.32Details anzeigen
MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23FSSM3J351R,LFMOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F60 V3,5 A (Ta)4V, 10V48557 - Sofort$0.32Details anzeigen
Veröffentlicht: 2018-07-30