Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

MOSFET DTMOS VI im TOLL-Gehäuse

Die MOSFETs von Toshiba sind ideal für Schaltnetzteilanwendungen.

Bild der DTMOSVI-MOSFETs von Toshiba im TOLL-GehäuseDie Hochspannungs-MOSFETs DTMOSVI von Toshiba zeichnen sich durch einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(ON)) und schnelle Schalteigenschaften bei geringer Kapazität aus. Damit sind sie ideal für Schaltnetzteilanwendungen. Dieser DTMOS VI der neuesten Generation bietet die niedrigste Gütezahl RDS(ON) x QGD und ist im TOLL-Gehäuse mit Kelvin-Source-Anschluss untergebracht, um Ein- und Ausschaltverluste zu reduzieren.

Merkmale
  • Reduzierung der Kosten
  • Große Auswahl an ON-Widerständen und Gehäuseoptionen
  • Niedrigste Gütezahl (RDS(ON) x QGD), die der DTMOS VI bietet
  • Stabiler ON-Widerstand bei höheren Temperaturen
  • Freie Wahl und Flexibilität bei Gehäusen und RDS(ON)-Werten
  • DTMOS VI für höchste Effizienz beim Schalten der Spannungsversorgung
  • Reduzierte Wärmeentwicklung
  • Geringere Kosten für passive Komponenten
  • Erlaubt höhere Leistungsdichte
Anwendungen
  • Rechenzentren, Fotovoltaik-inverter und USV
  • Schaltnetzteile
  • Beleuchtung
  • Leistungsfaktorkontrolle
  • Industrielle Elektronik

DTMOSVI MOSFETs in TOLL Package

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZTK110U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ5932 - Sofort$4.38Details anzeigen
DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZTK190U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ1008 - Sofort$3.18Details anzeigen
DTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZTK155U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZ0 - Sofort$3.50Details anzeigen
DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZTK090U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ0 - Sofort$3.01Details anzeigen
DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZTK065U65Z,RQDTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ1676 - Sofort$6.36Details anzeigen
Veröffentlicht: 2021-05-04

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