Energiesparende diskrete Halbleiter für das Internet der Dinge (IoT)

Um mit Produkten mit geringen Markteinführungszeiten mithalten zu können, müssen die Komponenten einer IoT-Plattform einfach zu entwickeln und schnell verfügbar sein. Toshiba bietet eine Vielzahl von diskreten Komponenten mit Fokus auf branchenführender Performance und geringer Leistungsaufnahme an, die sich ideal für Projekte mit kleinem Formfaktor eignen.

LDO: Bei Versorgung aus einer Knopfzelle oder Lithium-Ionen-Batterie ist die Gerätelaufzeit von größter Bedeutung. Der LDO TCR3UGxx von Toshiba mit niedrigem Ruhestrom bietet die benötigte 1,2-V-/1,8-V-/2,5-V-Schiene mit minimalem Ruhestrom (weniger als 0,4 µA typisch) und einer Spannungsgenauigkeit von 1 %. Die Werte bei Versorgungsspannungsdurchgriff, Rauschen und Last-Transienten sind ebenfalls hervorragend.

Lastschalter-IC: Integrierte Lastschalter-ICs wie der TCK107AG können einfache Leistungsschalter mit minimalem Ruhestrom (110 µA typisch) bereitstellen sowie eine Logikpegel-Steuerung für die Batterieversorgung bieten. Zudem fertigt Toshiba einfache n-Kanal- und p-Kanal-MOSFET für leichte Pull-up- und Pull-Down-Anwendungen.

ESD-Schutz: ESD-Schäden sind eine häufige Ursache für Rücksendungen und nicht diagnostizierbare Systemprobleme. Die ESD-Dioden von Toshiba bieten branchenführenden Schutz und eignen sich für alle freiliegenden Kontaktstellen, ganz gleich, ob es sich um Stromschienen, Drucktasten, USB-Ports oder HF-Antennen handelt.

MOSFET: Die MOSFET von Toshiba bieten einen außergewöhnlich niedrigen R_DS(ON) in einem kleinen Gehäuse. Der niedrige R_DS(ON) sorgt dafür, dass das Benutzersystem länger kühl bleibt, schnell aufgeladen werden kann und das Intervall zwischen den Ladevorgängen länger wird.

Magnetsensor: Die MOSFET von Toshiba bieten einen außergewöhnlich niedrigen R_DS(ON) in einem kleinen Gehäuse. Der niedrige R_DS(ON) sorgt dafür, dass das System kühl bleibt und sich schnell auflädt, mit längeren Intervallen zwischen den Ladevorgängen.

Blockdiagramm der IoT-Module