Gen-4-1200-V-SiC FETs für 800-V-Busanwendungen

Die Generation-4-SiC-FET-Serie UF4C/SC von onsemi basiert auf einer einzigartigen Kaskodenkonfiguration, ist für 1200 V ausgelegt und in Optionen von 23 mΩ bis 70 mΩ erhältlich. Diese Bauelemente bieten hervorragende Leistungskennzahlen (FoM) über R_DS(on) x Fläche von 1,35 mΩ cm², R_DS(on) x E_oss von 0,78 Ω µJ, R_DS(on) x C_oss(tr) von 4,5 Ω pF und R_DS(on)x Q_G von 0,9 Ω nC. Sie sind die optimale Stromversorgungslösung für gängige 800-V-Bus-Architekturen in integrierten Ladegeräten für Elektrofahrzeuge (EVs), industriellen Batterieladegeräten, industriellen Stromversorgern, DC/DC in Solar-, Schweißmaschinen-, USV- und Induktionsheizungsanwendungen.
Die SiC-FETs von UnitedSiC mit mehreren R_DS(on)- und Gehäuseoptionen maximieren die Designflexibilität und Kosteneffizienz Diese Komponenten können sicher mit standardmäßiger 0-V- bis 12-V- oder 15-V-Gate-Treiberspannung betrieben werden. Mit einer echten 5-V-Schwellenspannung wird eine gute Schwellenrauschmarge beibehalten. Wie die vorherigen Generationen können diese SiC-FETs mit allen typischen Si-IGBT-, Si-MOSFET- und SiC-MOSFET-Treiberspannungen betrieben werden. Sie enthalten außerdem eine eingebaute ESD-Gate-Schutzklemme.