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SiC-FETs UF3SC mit RDS(on) unter 10 Milliohm
UF3SC von onsemi bietet noch nie dagewesenes Maß an Leistung und Effizienz für Einsatz in Hochenergieanwendungen
Die SiC-FETs UF3SC von onsemi mit RDS(ON)-Werten von 7 mΩ bei 650 V und 10 mΩ bei 1200 V liefern beispiellose Leistungs- und Effizienzniveaus für den Einsatz im Hochleistungsbereich. Diese leistungsstarken SiC-FET-Bauelemente basieren auf einer einzigartigen Kaskoden-Schaltungskonfiguration, bei der ein SiC-JFET-Ausschalter mit einem Si-MOSFET zusammengeschaltet wird, um einen SiC-FET-Einschalter herzustellen. Die standardmäßigen Gate-Treiber-Eigenschaften des Bauelements ermöglichen einen echten Direktersatz für Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-MOSFETs oder Si-Superjunction-Bauelemente. Diese in einem TO-247-4L-Gehäuse untergebrachten Bauelemente weisen eine extrem niedrige Gate-Ladung und außergewöhnliche Sperrverzögerungseigenschaften auf, wodurch sie sich ideal zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen eignen, die eine Standard-Gate-Ansteuerung erfordern.
- Typischer RDS(on) von 6,7 mΩ und 8,6 mΩ
- Maximale Betriebstemperatur von +175 °C
- Hervorragende Sperrverzögerung
- Geringe Gate-Ladung
- Geringe Eigenkapazität
- ESD-geschützt, HBM Klasse 2
- TO247-4L-Kelvin-Gehäuse
- Wechselrichter für Elektrofahrzeuge (EF)
- Hochleistungs-DC/DC-Wandler
- Hochstrom-Batterieladegeräte
- Halbleiter-Stromkreisschutz (Unterbrecher)
- PFC-Module
- Motorantriebe
UF3SC SiC FETs with <10 mΩ RDS(on)
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | UF3SC065007K4S | MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4 | 120 A (Tc) | 12V | 9mOhm bei 50A, 12V | 496 - Sofort | $58.53 | Details anzeigen |
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