IGBT-Leistungsmodule VS-ENQ030L120S, VS-ETF075Y60U, VS-ETF150Y65U und VS-ETL015Y120H

Die IGBT-Leistungsmodule von Vishay bilden eine integrierte Komplettlösungen für Solar-Wechselrichter und USV

Abbildung: IGBT-Leistungsmodule von Vishay Semiconductor/Diodes Division Die IGBT-Leistungsmodule von Vishay vereinen einen Ultrafast-Trench-IGBT, hocheffiziente HEXFRED®- und FRED-Pt®-Diodentechnologien und Thermistoren zum einfachen Wärmemanagement in Einzelgehäusen mit Press-Fit-Technologie. Die Module von Vishay Semiconductor bilden integrierte Komplettlösungen für auf dreistufigen Sternpunkt-Klemmtopologien (Neutral Clamp Point - NCP) basierende Wechselrichter und verschachtelte, mehrkanalige MPPT-Aufwärtswandler (Maximum Power Point Tracking - MPPT).

Mit ihrem integrierten Design helfen die modernen Komponenten Entwicklern, die Markteinführungszeit zu reduzieren und die gesamte System-Performance zu verbessern. Für dreistufige NPC-Topologien bietet der VS-ENQ030L120S eine Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung von 1.200 V und einen Kollektor-Nennstrom von 30 A. Für dreistufige Inverterstufen bestimmt bieten VS-ETF075Y60U und VS-ETF150Y65U Entwicklern eine Kollektor-Nennstromauswahl von 75 A und 150 A mit Kollektor-Emitter-Durchbruchspannungen von 600 V bzw. 650 V und den Hochtemperaturbetrieb bis 175 °C. Optimiert für Doppel-Aufwärtswandler besitzt der VS-ETL015Y120H für 15 A eine Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung von 1.200 V, hocheffiziente Silizium-Boost-Dioden, integrierte 62-A-Bypass-Dioden und für Maximalstrom ausgelegte Rückstromschutzdioden bei Kurzschluss im angeschlossenen Solarmodul. Alle Komponenten besitzen ein modulares und skalierbares Design, um Anwendungen mit höheren Leistungspegeln gerecht zu werden

Angeboten in EMIPAK-1B- (VS-ENQ030L120S) und EMIPAK-2B-Gehäusen (VS-ETF075Y60U, VS-ETF150Y65U und VS-ETL015Y120H) ermöglicht die lötfreie Press-Fit-Technologie der Leistungsmodule eine einfache Montage auf der Platine, während ein freiliegendes DBC-Substrat für einen geringen thermischen Widerstand sorgt. Die Komponenten bieten eine niedrige interne Induktivität und geringe Schaltverluste bei Betriebsfrequenzen von bis zu 20 kHz. Das optimierte Layout der Module trägt zur Minimierung parasitärer Parameter für eine bessere EMI-Performance bei.

Die RoHS-konformen Komponenten besitzen eine UL-Zulassung (Datei E78996) (Zulassung für VS-ENQ030L120S beantragt). Die Leistungsmodule von Vishay entsprechen den Industrie-Standards, und kundenspezifische Lösungen können auf die Anforderungen einer speziellen Anwendung zugeschnitten werden.

Merkmale
  • Geringe interne Induktivität und Schaltverluste
  • EMIPAK-Gehäuse für NPC-Topologien
  • Drei-Stufen-Wechselrichter
  • Mehrfach-Aufwärtswandler
Anwendungen
  • Strangwechselrichter in Solaranlagen
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) mit mittlerer Leistung

IGBT Power Modules

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungStrom - Kollektor (Ic) (max.)Leistung - Max.Verfügbare MengePreisDetails anzeigen
IGBT MODULE 1200V 61A EMIPAK-1BVS-ENQ030L120SIGBT MODULE 1200V 61A EMIPAK-1B61 A216 W0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
IGBT MODULE 600V 100A EMIPAK-2BVS-ETF075Y60UIGBT MODULE 600V 100A EMIPAK-2B100 A294 W0 - Sofort$67.55Details anzeigen
IGBT MODULE 650V 142A EMIPAK-2BVS-ETF150Y65UIGBT MODULE 650V 142A EMIPAK-2B142 A417 W0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
IGBT MOD 1200V 22A 89W EMIPAK-2BVS-ETL015Y120HIGBT MOD 1200V 22A 89W EMIPAK-2B89 W3,03V bei 15V, 15A0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
Veröffentlicht: 2016-06-29