Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Siliziumkarbid-Schottky-Dioden

Siliziumkarbid-Schottky-Dioden von Vishay eignen sich gut für anspruchsvolle Anwendungen

Abbildung: Siliziumkarbid-Schottky-Dioden von VishayDie SiC-PiN-Schottky-Kombi-Leistungsdioden der 3. Generation von Vishay sind Dioden auf Siliziumkarbidbasis mit breitem Bandabstand. Sie sind auf hohe Leistung und Robustheit ausgelegt und eignen sich daher ideal für extrem schnelle, harte Schaltvorgänge über einen großen Temperaturbereich. Diese Dioden empfehlen sich besonders für anspruchsvolle Anwendungen wie Bootstrap- und Antiparallel-Dioden in AC/DC- und DC/DC-Wandlern.

Merkmale/Funktionen
  • Flache oberflächenmontierbare Gehäuse: erhältlich in SMPD mit typischer Höhe von 1,7 mm und SlimDPAK mit typischer Höhe von 1,3 mm
  • Kriechstrecke für Hochspannung: bis zu 3,7 mm, dadurch sicherer Betrieb bei hohen Spannungen
  • Verbesserte VF und Effizienz: durch Thin-Wafer-Technologie, die Gesamtleistung erhöht
  • Niedriger Wert für VF x Q C: ermöglicht geringe Verlustleistung und macht Diode effizienter
  • Hohe Sperrschicht-Betriebstemperatur: bis +175 °C
  • Geprüfte Zuverlässigkeit: 2.000 Stunden HTRB (High Temperature Reverse Bias) und 2.000 Zyklen TC (Temperature Cycling), um langfristige Zuverlässigkeit zu gewährleisten
  • Positiver VF-Temperaturkoeffizient: erleichtert Parallelschaltung von Dioden
  • Temperaturunabhängiges Schaltverhalten: gewährleistet gleichbleibende Leistung über großen Temperaturbereich
  • 2-poliges D2PAK-Gehäuse: Formmasse mit hoher Kriechstromfestigkeit (CTI größer oder gleich 600), die Betrieb bei erhöhten Spannungen gemäß Norm IEC 60664-1 ermöglicht
  • Praktisch keine Erholungsphase und keine Schaltverluste, was effiziente Funktion erlaubt
  • Entspricht Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 gemäß J-STD-020 mit max. Spitzenlöttemperaturen von +260 °C
  • MPS-Struktur sorgt für hohe Robustheit bei übermäßigem Durchlassstrom
  • Erfüllt Lötdochtprüfung gemäß JESD 201, Klasse 2, für hohe Zuverlässigkeit
  • Materialkategorisierung für Definitionen und Einhaltung von Normen
Anwendungen/Zielmärkte
  • Bootstrap-Dioden: in Schaltkreisen zur Ermöglichung einer höheren Spannung als Versorgungsspannung
  • Antiparallele Dioden: in AC/DC- und DC/DC-Wandlern zur Steigerung von Effizienz und Leistung
  • Wandler: ideal für AC/DC- und DC/DC-Wandler aufgrund der hohen Schaltgeschwindigkeit

Silicon Carbide Schottky Diodes

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungSpannung - Spitzensperr- (max.)Strom - Max.Verfügbare MengePreisDetails anzeigen
RECTIFIER, SIC, 1200V, 1A, SINGLVS-3C01EJ12-M3/HRECTIFIER, SIC, 1200V, 1A, SINGL1200V1 A7720 - Sofort$0.92Details anzeigen
RECTIFIER, SIC, 650V, 2A, SINGLEVS-3C02EJ07-M3/HRECTIFIER, SIC, 650V, 2A, SINGLE650V2 A3933 - Sofort$1.44Details anzeigen
RECTIFIER, SIC, 1200V, 2A, SINGLVS-3C02EJ12-M3/HRECTIFIER, SIC, 1200V, 2A, SINGL1200V2 A7604 - Sofort$0.98Details anzeigen
Veröffentlicht: 2025-03-26