Siliziumkarbid-Brückenmodule VS-SCx0BA120

Die Siliziumkarbid-Brückenmodule (SiC) VS-SC50BA120 und VS-SC90BA120 von Vishay sind für eine außergewöhnliche Leistung und Effizienz in Hochleistungsanwendungen ausgelegt. Diese Module nutzen die fortschrittliche SiC-Schottky-Diodentechnologie, die gegenüber herkömmlichen Dioden auf Siliziumbasis erhebliche Vorteile bietet, darunter praktisch keine Erholungsphase und minimale Schaltverluste. Das VS-SC50BA120 ist für 50 A ausgelegt, während das VS-SC90BA120 für 90 A ausgelegt ist, beide mit einer maximalen periodischen Sperrspannung von 1200 V. Diese Module sind in einem robusten SOT-227-Gehäuse untergebracht, das einen zuverlässigen Betrieb auch in rauen Umgebungen gewährleistet. Mit einer verbesserten Durchlassspannung (V_F) und einem verbesserten Wirkungsgrad aufgrund der Thin-Wafer-Technologie eignen sich diese Brückenmodule ideal für Anwendungen, die ein schnelles Schalten und eine effiziente Leistungswandlung erfordern.