P-Kanal-MOSFET

P-Kanal-MOSFET von Vishay besitzen niedrigsten flächenbezogenen Betriebswiderstand und ermöglichen so kleinste Platinen

Abbildung: P-Kanal-MOSFET von Vishay Siliconix Die P-Kanal-TrenchFET®-MOSFET der GEN III und IV von Vishay Siliconix verfügen über den niedrigsten flächenbezogenen Betriebswiderstand bei den P-Kanal-MOSFET – teilweise bis zur Hälfte der bisher besten Bauteile der Branche.

  • Niedrigster flächenbezogener Betriebswiderstand ermöglicht kleinste Leiterplatten
  • Niedrigerer Spannungsabfall erhöht Wirkungsgrad und Batterielaufzeit
  • Doppelte Komponenten bieten potenziell geringere Komponentenanzahl in typischen Batterieladegerätedesigns

Mit verschiedenen Gehäusegrößen und Nennbetriebswiderständen eignet sich der P-Kanal-TrenchFET-MOSFET der GEN III und IV von Vishay für eine breite Palette von Anwendungen. Darüber hinaus ermöglicht der niedrige Betriebswiderstand geringe Leitungsverluste, um Energie zu sparen und die Batterienutzungsdauer pro Ladung zu verlängern.

Ressourcen: P-Kanal-MOSFET im Überblick

Merkmale
  • Niedrigster flächenbezogener Betriebswiderstand bei P-Kanal-MOSFET; bis zur Hälfte der bisher besten Bauteile der Branche
  • Teilweise unter 2 mΩ auf SO-8-Grundfläche
  • Niedrige Leitungsverluste sparen Energie in batteriebetriebenen Systemen
  • Verschiedene Gehäusegrößen von PowerPAK® SO-8 bis PowerPAK-SC-75 mit minimal 1,6 mm x 1,6 mm und Chip-Scale MICRO FOOT® mit 0,8 mm x 0,8 mm
Anwendungen
  • Batteriebetriebene Geräte
  • Notebooks/Tablets
  • Spielekonsolen
  • Verbraucherelektronik
  • Am Körper getragene Elektronik (Wearables)

P-Channel MOSFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
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Veröffentlicht: 2018-04-24