TrenchFET®-Leistungs-MOSFET SiA468DJ-T1-GE3

Der SiA468DJ von Vishay Siliconix bietet den branchenweit niedrigsten Betriebswiderstand und den höchsten Dauer-Drain-Strom für 30-V-Komponenten in einem Kunststoffgehäuse mit 2 mm x 2 mm. Er wird in einem PowerPAK®-SC-70-Gehäuse angeboten, das 60 % kleiner als Komponenten im PowerPAK-1212 ist.

Der SiA468DJ reduziert den Betriebswiderstand um 51 % im Vergleich zu den Produkten der vorherigen Generationen und bietet eine 7-prozentige Verbesserung gegenüber der nächstliegenden konkurrierenden Komponente. Er verfügt über einen hohen Dauer-Drain-Strom, der 68 % höher als bei Komponenten früherer Generationen ist und 50 % höher als bei der nächstliegenden konkurrierenden Lösung.

Merkmale

• Sehr niedriger Betriebswiderstand und Gate-Ladung ergeben Gütefaktor, der für eine breite Palette von Leistungswandlungstopologien optimiert ist
• Erstklassiger Betriebswiderstand, der Leitungsverlust reduziert und Effizienz erhöht
• Hoher Dauer-Drain-Strom, der ausreichend Sicherheitsspielraum für Anwendungen mit höheren transienten Strömen bietet
• In extrem kompaktem PowerPAK-SC-70-Gehäuse angeboten
• RoHS-konform, zu 100 % RG-getestet und halogenfrei