E-Serie-Leistungs-MOSFET SiHR080N60E

Um einen höheren Wirkungsgrad und eine höhere Leistungsdichte für Telekommunikations-, Industrie- und Computeranwendungen zu erreichen, bietet Vishay die vierte Generation der 600-V-Leistungs-MOSFETs der E-Serie im oberseitig gekühlten ^PowerPAK®-8x8LR-Gehäuse. Im Vergleich zu Bauteilen der vorherigen Generation bietet der N-Kanal-SiHR080N60E eine Senkung des Durchlasswiderstands um ganze 27 % und der Gütezahl aus Widerstand mal Gate-Ladung, eine wichtige Kennzahl für 600-V-MOSFETs in der Leistungsumwandlung, um 60 %, während er gleichzeitig einen höheren Strom bei kleinerer Größe als Bauteile im D²PAK-Gehäuse liefert. Das 10,42 mm x 8 mm x 1,65 mm große, oberseitig gekühlte PowerPAK-8x8LR-Gehäuse des SiHR080N60E besitzt eine 50,8 % kleinere Grundfläche und eine 66 % geringere Höhe als das D^2PAK.

Aufgrund der Kühlung auf der Oberseite verfügt das Gehäuse über hervorragende thermische Eigenschaften mit einem extrem niedrigen Wärmewiderstand von +0,25 °C/W zwischen Sperrschicht und Gehäuse. Das ermöglicht bei gleichem Durchlasswiderstandsniveau einen 46 % höheren Strom als beim D²PAK und damit eine deutlich höhere Leistungsdichte. Darüber hinaus führt die branchenweit niedrige Gütezahl aus Durchlasswiderstand mal Gate-Ladung des SiHR080N60E von 3,1 Ω*nC zu reduzierten Leitungs- und Schaltverlusten, was Energie spart und den Wirkungsgrad in Leistungsversorgungssystemen mit mehr als 2 kW erhöht.

Die niedrigen typischen Werte für die effektive Ausgangskapazität C_o(er) und C_o(tr) des MOSFET von 79 pF bzw. 499 pF verbessern die Schaltleistung in hart geschalteten Topologien wie Leistungsfaktorkorrektur, Halbbrücke und Durchflusswandlung mit zwei Schaltern. Vishay bietet ein umfassendes Angebot an MOSFET-Technologien, die alle Stufen des Leistungswandlungsprozesses unterstützen, von Hochspannungseingängen bis hin zu den Niederspannungsausgängen, die für die Versorgung von High-Tech-Geräten erforderlich sind. Mit dem SiHR080N60E und anderen Komponenten der vierten Generation der 600-V-E-Serie geht das Vishay auf die Notwendigkeit ein, den Wirkungsgrad und die Leistungsdichte in zwei der ersten Stufen der Stromversorgungsarchitektur zu verbessern: Leistungsfaktorkorrektur und nachfolgende DC/DC-Wandlerblöcke.