Doppelter 60-V-n-Kanal-MOSFET SISF20DN-T1-GE3 mit gemeinsamem Drain

SISF20DN-T1-GE3 von Vishay Siliconix wurde entwickelt, um Leistungsdichte und Effizienz in Batteriemanagementsystemen zu erhöhen

Abbildung: Doppelter 60-V-n-Kanal-MOSFET SISF20DN-T1-GE3 von Vishay Siliconix mit gemeinsamem DrainDer SISF20DN-T1-GE3 von Vishay Siliconix ist ein doppelter 60-V-n-Kanal-MOSFET mit gemeinsamem Drain in einem kompakten, thermisch verbesserten PowerPAK®-1212-8SCD-Gehäuse. Der SiSF20DN von Vishay Siliconix wurde zur Steigerung der Leistungsdichte und Effizienz von Batteriemanagementsystemen, Stecker- und Drahtlos-Ladegeräten, DC/DC-Wandlern und Netzteilen entwickelt und bietet den branchenweit niedrigsten RS-S(ON) in einer 60-V-Komponente mit gemeinsamem Drain.

Der Doppel-MOSFET bietet einen typischen RS-S(ON) von bis zu 10 mΩ bei 10 V, was den derzeit niedrigsten Wert bei 60-V-Komponenten mit einer Grundfläche von 3 mm x 3 mm darstellt. Dieser Wert repräsentiert zudem eine 42,5-prozentige Verbesserung gegenüber der nächstbesten Lösung bei dieser Grundfläche und fällt 89 % niedriger als bei Komponenten der vorherigen Generation von Vishay aus. Das Ergebnis sind geringere Spannungsabfälle über den Leistungspfad und minimierte Leistungsverluste für einen höheren Wirkungsgrad. Für eine höhere Leistungsdichte ist der flächenbezogene RS1S2(ON) des SiSF20DN 46,6 % niedriger als der des nächstbesten alternativen MOSFET, auch wenn größere Lösungen mit 6 mm x 5 mm in die Betrachtung eingeschlossen werden.

Um Platz auf der Leiterplatte zu sparen, die Anzahl der Komponenten zu reduzieren und das Design zu vereinfachen, nutzt die Komponente eine optimierte Gehäusekonstruktion mit zwei monolithisch integrierten TrenchFET®-n-Kanal-MOSFET der Gen. IV in einer Konfiguration mit gemeinsamem Drain. Die Source-Kontakte des SiSF20DN sind mit größeren Verbindungen nebeneinander angeordnet, wodurch die Kontaktfläche zur Leiterplatte vergrößert und der Widerstand im Vergleich zu herkömmlichen Doppelgehäusetypen weiter verringert wird. Dieses Design macht den MOSFET ideal für bidirektionales Schalten in 24-V-Systemen und industriellen Anwendungen wie Fabrikautomatisierung, Elektrowerkzeugen, Drohnen, Motorantrieben, Haushaltsgeräten, Robotik, Sicherheit/Überwachung und Rauchmeldern. Der SiSF20DN ist zu 100 % Rg- und UIS-geprüft, RoHS-konform und halogenfrei.

Merkmale
  • TrenchFET-Leistungs-MOSFET der Generation IV
  • Sehr geringer Source-to-Source-Widerstand
  • Integrierte n-Kanal-MOSFET mit gemeinsamem Drain in kompaktem und thermisch optimiertem Gehäuse
  • Zu 100 % Rg- und UIS-getestet
  • Optimierung des Schaltungslayouts für bidirektionalen Stromfluss
Anwendungen
  • Batterieschutzschalter
  • Bidirektionale Schalter
  • Lastschalter
  • 24-V-Systeme

SISF20DN-T1-GE3 Common-Drain Dual N-Channel 60 V MOSFET

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungFET-MerkmalStrom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°CRds(On) (Max.) bei Id, VgsVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212SISF20DN-T1-GE3MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212-14 A (Ta), 52 A (Tc)13mOhm bei 7A, 10V0 - Sofort$1.86Details anzeigen
Veröffentlicht: 2020-01-23