30-V-N-Kanal-MOSFET SiSS52DN

Der vielseitige 30-V-N-Kanal-TrenchFET^®-Leistungs-MOSFET (Gen. V) SiSS52DN von Vishay bietet eine erhöhte Leistungsdichte und einen höheren Wirkungsgrad sowohl für isolierte als auch für nicht isolierte Topologien und vereinfacht damit die Bauteilauswahl für Entwickler, die mit beidem arbeiten. Er wird in einem thermisch optimierten PowerPAK-1212-8S-Gehäuse mit 3,3 mm x 3,3 mm angeboten und zeichnet sich durch den klassenbesten Betriebswiderstand von 0,95 mΩ bei 10 V aus – eine Verbesserung von 5 % gegenüber der vorherigen Produktgeneration. Außerdem besitzt dieser MOSFET einen Betriebswiderstand von 1,5 mΩ bei 4,5 V, während der mit der Gate-Ladung multiplizierte Betriebswiderstand von 29,8 mΩ*nC (eine kritische Gütezahl für MOSFET in Schaltanwendungen) sehr vorteilhaft ist. Diese Gütezahl des SiSS52DN stellt eine 29-prozentige Verbesserung gegenüber der Vorgängergeneration dar, was sich in reduzierten Leitungs- und Schaltverlusten niederschlägt und so Energie in Leistungswandlungsanwendungen spart.