60-V-MOSFET SQJ264EP

Der SQJ264EP von Vishay bietet eine Platzersparnis und einen erhöhten Wirkungsgrad für DC/DC-Schaltversorgungen in Automobilanwendungen wie Infotainmentsystemen, Displays und LED-Beleuchtung sowie für die Leistungswandlung in E-Fahrrädern. Der Baustein kombiniert einen High- und einen Low-Side-MOSFET auf einer kompakten Grundfläche von 5 mm x 6 mm mit einem maximalen Low-Side-Betriebswiderstand von bis zu 8,6 mΩ. Durch die Kombination von zwei TrenchFET^®-MOSFET in einem asymmetrischen Gehäuse reduziert dieser kfz-taugliche Baustein die Anzahl der Bauteile und den Platzbedarf auf der Leiterplatte und erhöht gleichzeitig die Leistungsdichte im Vergleich zu Einzel-MOSFET-Lösungen. Darüber hinaus bietet seine Kombination aus Steuer- (High-Side) und Synchron-MOSFET (Low-Side) mit optimierter Die-Größe einen höheren Wirkungsgrad als symmetrische Doppelbausteine bei der Leistungswandlung mit einem Tastverhältnis unter 50 %.

Die L-förmigen Anschlussdrähte sind so konstruiert, dass die mechanische Entlastung maximiert wird. Zudem erlaubt das Design eine erweiterte automatische optische Inspektion (AOI). Die gesamte Gehäusekonstruktion reduziert die Risiken von Lötmittelermüdung und unzureichender Benetzung, was eine erhöhte Zuverlässigkeit auf Leiterplattenebene für Kfz-Designs bedeutet.