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Integrierter WiseGan™-GaN-Leistungsschaltkreis
Der WiseGan von Wise-Integration ist optimiert, um Technologie umweltfreundlicher und effizienter zu machen
Der WiseGan von Wise-Integration ist eine integrierte 650-V-Galliumnitrid-(GaN)-Leistungsschaltung (IC) im Anreicherungsmodus. Der WiseGan vereint mehrere Funktionen der Leistungselektronik in einem einzigen GaN-Chip, um Geschwindigkeit, Effizienz, Zuverlässigkeit und Kosteneffizienz zu verbessern. Die Eigenschaften von Galliumnitrid (GaN) ermöglichen hohe Ströme, einen hohen Spannungsdurchbruch und eine hohe Schaltfrequenz.
Merkmale/Funktionen
- 650-V-Anreicherungsmodus-Halbbrücke
- Unterseitengekühlte Konfiguration
- Induktivitätsarmes PQFN-Gehäuse
- Einfache Gate-Antriebsanforderungen: 0 V bis 6 V
- Transiententolerante Gate-Ansteuerung bis zu 8 V
- Sehr hohe Schaltfrequenz (>1 MHz)
- Schnelle und kontrollierbare Abfall- und Anstiegszeiten
- Rückwärtsstromfähigkeit
- Keine Verluste durch Sperrverzögerung
- Kleine Platinenfläche (6 mm x 8 mm)
- RoHS-6-konform
Anwendungen/Zielmärkte
- Hocheffiziente Leistungswandlung
- Leistungswandlung mit hoher Dichte
- AC/DC, DC/DC und DC/AC
- Brückenlose Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrektur
- ACF (aktive Rücklaufsperre)
- LLC-Resonanz
- Halbbrücken-Topologien
- Synchroner Abwärts- oder Aufwärtsregler
- Kleine/mittlere USV
- Schnelles Aufladen der Batterie
WiseGan™ GaN Power Integrated Circuit
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Konfiguration | FET-Merkmal | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | WI62120 | MOSFET 650V 13A 14PQFN | - | - | 0 - Sofort | $2.92 | Details anzeigen |
Veröffentlicht: 2022-08-12
Schweiz