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Datenblatt
SRAM - Asynchron Speicher IC 8Mbit Parallel 55 ns 44-TSOP2
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AS6C8016A-55ZIN

DigiKey-Teilenr.
AS6C8016A-55ZIN-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
AS6C8016A-55ZIN
Beschreibung
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP2
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
SRAM - Asynchron Speicher IC 8Mbit Parallel 55 ns 44-TSOP2
EDA/CAD-Modelle
AS6C8016A-55ZIN Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Speicherschnittstelle
Parallel
Herst.
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
55ns
Verpackung
Tablett
Zugriffszeit
55 ns
Status der Komponente
Bei DigiKey nicht mehr erhältlich
Spannung - Versorgung
2,7V bis 3,6V
Von DigiKey programmierbar
Nicht verifiziert
Betriebstemperatur
-40°C bis 85°C (TA)
Speichertyp
Flüchtig
Montagetyp
Oberflächenmontage
Speicherformat
Gehäuse / Hülle
Technologie
SRAM - Asynchron
Gehäusetyp vom Lieferanten
44-TSOP2
Speichergröße
Basis-Produktnummer
Speicherorganisation
512K x 16
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (10)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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