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Direkter Ersatz

IXFR80N60P3
IXYS
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Microchip Technology
Vorrätig: 1
Stückpreis : Fr. 10.80000
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Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
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Microchip Technology
Vorrätig: 0
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onsemi
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Stückpreis : Fr. 5.95000
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FCH077N65F-F155
onsemi
Vorrätig: 336
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FCH085N80-F155
onsemi
Vorrätig: 437
Stückpreis : Fr. 14.55000
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IPW60R070P6XKSA1
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Vorrätig: 1’394
Stückpreis : Fr. 5.34000
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IXFH46N65X2
IXYS
Vorrätig: 4’257
Stückpreis : Fr. 9.04000
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IXFX64N60P
IXYS
Vorrätig: 649
Stückpreis : Fr. 15.25000
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IXYS
Vorrätig: 196
Stückpreis : Fr. 15.24000
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IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
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IXYS
Vorrätig: 14
Stückpreis : Fr. 22.02000
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Vorrätig: 460
Stückpreis : Fr. 5.87000
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AOK20B65M2
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AOK53S60

DigiKey-Teilenr.
AOK53S60-ND
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Hersteller-Teilenummer
AOK53S60
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 53A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 53 A (Tc) 520W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie
aMOS™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
53 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
70mOhm bei 26,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,8V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3034 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
520W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Basis-Produktnummer
AOK53
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