TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AOTF10N60L

DigiKey-Teilenr.
AOTF10N60L-ND
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Hersteller-Teilenummer
AOTF10N60L
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 10 A (Tc) Durchkontaktierung TO-220F
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
10 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
750mOhm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
40 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1600 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
AOTF10
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