Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich

AOW25S65 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 785-1526-5-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | AOW25S65 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 25A TO262 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 25 A (Tc) 357W (Tc) Durchkontaktierung TO-262 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | AOW25S65 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 190mOhm bei 12,5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 26.4 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1278 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 357W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-262 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |



