AOW298 Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Diskrete Halbleiterprodukte

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Vorrätig: 3’063

Stückpreis : Fr. 2.62000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AOW298
DigiKey-Teilenr.	785-1379-5-ND
Hersteller	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Hersteller-Teilenummer	AOW298
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO262
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 9 A (Ta), 58 A (Tc) 2,1W (Ta), 100W (Tc) Durchkontaktierung TO-262
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9 A (Ta), 58 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	14,5mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	27 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1670 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,1W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-262
Gehäuse / Hülle	TO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer	AOW29