2N6035G onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

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STMicroelectronics

Vorrätig: 7’536

Stückpreis : Fr. 0.82000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2N6035G
DigiKey-Teilenr.	2N6035GOS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	2N6035G
Beschreibung	TRANS PNP DARL 60V 4A TO-126
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP - Darlington 60 V 4 A 40 W Durchkontaktierung TO-126
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	2N6035G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Obsolet
Transistor-Typ	PNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	4 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	60 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	3V bei 40mA, 4A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	750 bei 2A, 3V
Leistung - Max.	40 W
Frequenz - Übergang	-
Betriebstemperatur	-65°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-225AA, TO-126-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-126
Basis-Produktnummer	2N6035