N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 120W (Tc) Durchkontaktierung TO-3PF
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N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 120W (Tc) Durchkontaktierung TO-3PF
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6020ENZC17

DigiKey-Teilenr.
846-R6020ENZC17-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
R6020ENZC17
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 120W (Tc) Durchkontaktierung TO-3PF
Datenblatt
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Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
196mOhm bei 9,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1400 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
120W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3PF
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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