Dioden 650 V 10A Durchkontaktierung TO-220-2
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Dioden 650 V 10A Durchkontaktierung TO-220-2
TO-220-2

BSDH10G65E2

DigiKey-Teilenr.
118-BSDH10G65E2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
BSDH10G65E2
Beschreibung
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 650 V 10A Durchkontaktierung TO-220-2
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Geschwindigkeit
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
Herst.
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
50 µA @ 650 V
Serie
Kapazität bei Vr, F
323pF bei 1V, 1MHz
Verpackung
Stange
Montagetyp
Status der Komponente
Aktiv
Gehäuse / Hülle
Technologie
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-2
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C bis 175°C
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
10A
Basis-Produktnummer
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.7 V @ 10 A
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in CHF
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 3.15000Fr. 3.15
50Fr. 1.60580Fr. 80.29
100Fr. 1.45630Fr. 145.63
500Fr. 1.31962Fr. 659.81
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 3.15000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 3.40515