Name: CGD65B130SH2
Brand: Cambridge GaN Devices
SKU: 4768-CGD65B130SH2TR-ND
Price: 6.38871 CHF
Availability: InStock

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CGD65B130SH2
DigiKey-Teilenr.	4768-CGD65B130SH2TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 4768-CGD65B130SH2CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 4768-CGD65B130SH2DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Cambridge GaN Devices
Hersteller-Teilenummer	CGD65B130SH2
Beschreibung	650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 12A Oberflächenmontage 8-DFN (5x6)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 12V
Herst. Cambridge GaN Devices	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 182mOhm bei 900mA, 12V
Serie ICeGaN™	Vgs(th) (max.) bei Id 4,2V bei 4,2mA
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 1.9 nC @ 12 V
Status der Komponente Aktiv	Vgs (Max.) +20V, -1V
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-DFN (5x6)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 12A	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN