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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 350 V 500 mA 40MHz 625 mW Durchkontaktierung TO-92-3
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2N6520 TRE PBFREE

DigiKey-Teilenr.
1514-2N6520TREPBFREETR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
2N6520 TRE PBFREE
Beschreibung
350V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Standardlieferzeit des Herstellers
14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 350 V 500 mA 40MHz 625 mW Durchkontaktierung TO-92-3
Produkteigenschaften
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Kategorie
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
50 nA (ICBO)
Herst.
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
30 bei 30mA, 10V
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Leistung - Max.
625 mW
Status der Komponente
Aktiv
Frequenz - Übergang
40MHz
Transistor-Typ
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Montagetyp
Durchkontaktierung
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
350 V
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1V bei 5mA, 50mA
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (5)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
2N6520 APM PBFREECentral Semiconductor Corp01514-2N6520APMPBFREETB-NDFr. 0.24107Parametrisches Äquivalent
2N6520 APM TIN/LEADCentral Semiconductor Corp01514-2N6520APMTIN/LEADTB-NDFr. 0.28390Parametrisches Äquivalent
2N6520 PBFREECentral Semiconductor Corp01514-2N6520PBFREE-NDFr. 0.26392Parametrisches Äquivalent
2N6520 TIN/LEADCentral Semiconductor Corp01514-2N6520TIN/LEAD-NDFr. 0.30351Parametrisches Äquivalent
2N6520 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor Corp01514-2N6520TRETIN/LEADTR-NDFr. 0.28390Parametrisches Äquivalent
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