CDBGBSC101200-G Comchip Technology | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

CDBGBSC101200-G
DigiKey-Teilenr.	CDBGBSC101200-G-ND
Hersteller	Comchip Technology
Hersteller-Teilenummer	CDBGBSC101200-G
Beschreibung	DIODE ARRAY SIC 1200V 18A TO-247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Diodenarray 1 Paar gemeinsame Kathoden 1200 V 18A (DC) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Diodenarrays
Hersteller	Comchip Technology
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
Diodenkonfiguration	1 Paar gemeinsame Kathoden
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	1200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io) (pro Diode)	18A (DC)
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	1.7 V @ 5 A
Geschwindigkeit	Keine Erholzeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)	0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr	100 µA @ 1200 V
Betriebstemperatur - Übergang	-55°C bis 175°C
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247
Basis-Produktnummer	CDBGBSC101200