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CDBJSC8650-G ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
CDBJSC8650-G | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | CDBJSC8650-G-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | CDBJSC8650-G |
Beschreibung | DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | Dioden 650 V 8A Durchkontaktierung TO-220-2 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Ähnliche Produkte anzeigen
Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Umkehrerholungszeit (trr) 0 ns |
Herst. | Strom - Sperrleckstrom bei Vr 100 µA @ 650 V |
Verpackung Stange | Kapazität bei Vr, F 560pF bei 0V, 1MHz |
Status der Komponente Obsolet | Montagetyp |
Technologie | Gehäuse / Hülle |
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-2 |
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io) 8A | Betriebstemperatur - Übergang -55°C bis 175°C |
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If 1.7 V @ 8 A | Basis-Produktnummer |
Geschwindigkeit Null-Erholungszeit > 500mA (Io) |
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (6)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| BSDH08G65E2 | Bourns Inc. | 0 | 118-BSDH08G65E2-ND | Fr. 2.64029 | Parametrisches Äquivalent |
| IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | 77 | 448-IDH08G65C5XKSA2-ND | Fr. 3.62000 | Parametrisches Äquivalent |
| PCDP0865G1_T0_00001 | Panjit International Inc. | 1’995 | 3757-PCDP0865G1_T0_00001-ND | Fr. 2.47000 | Parametrisches Äquivalent |
| UJ3D06508TS | onsemi | 27’243 | 5556-UJ3D06508TS-ND | Fr. 3.77000 | Parametrisches Äquivalent |
| WNSC5D086506Q | WeEn Semiconductors | 0 | 1740-WNSC5D086506Q-ND | Fr. 0.35654 | Parametrisches Äquivalent |
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