Parametrisches Äquivalent
Ähnlich
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HER303GA-G | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | HER303GA-G-ND - Band & Box (TB) |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | HER303GA-G |
Beschreibung | DIODE STANDARD 200V 3A DO27 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 32 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | Dioden 200 V 3A Durchkontaktierung DO-27 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | HER303GA-G Modelle |
Kategorie | Geschwindigkeit Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io) |
Herst. | Umkehrerholungszeit (trr) 50 ns |
Verpackung Band & Box (TB) | Strom - Sperrleckstrom bei Vr 5 µA @ 200 V |
Status der Komponente Aktiv | Montagetyp |
Technologie | Gehäuse / Hülle |
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.) 200 V | Gehäusetyp vom Lieferanten DO-27 |
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io) 3A | Betriebstemperatur - Übergang -55°C bis 150°C |
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If 1 V @ 3 A | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| HER303GT-G | Comchip Technology | 0 | HER303GT-G-ND | Fr. 0.19835 | Parametrisches Äquivalent |
| 1N5624-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 1N5624-TAP-ND | Fr. 1.04442 | Ähnlich |
| BYW72-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYW72-TR-ND | Fr. 1.09961 | Ähnlich |
| BYW82-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 12’576 | BYW82-GICT-ND | Fr. 2.87000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1’200 | Fr. 0.19835 | Fr. 238.02 |
| 2’400 | Fr. 0.18073 | Fr. 433.75 |
| 3’600 | Fr. 0.17383 | Fr. 625.79 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 0.19835 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 0.21442 |



